flash快閃儲存器是非易失性儲存器，這是相對於sdram等儲存器所說的。即儲存器斷電後，內部的資料仍然可以儲存。flash根據技術方式分為nand 、nor flash和ag-and flash，而u盤和***中最常用的記憶體就是nand flash。
nand flash也有幾種，根據技術方式，分為slc、mcl、mirrorbit等三種。slc是single level cell的縮寫，意為每個儲存單元中只有1bit資料。而mlc就是multi-level-cell，意為該技術允許2 bit的資料儲存在乙個儲存單元當中。而mirrorbit則是每個儲存單元中只有4bit資料。
slc的技術儲存比較穩定，slc的技術也最為成熟。然而mlc可以在乙個單元中有2bit資料，這樣同樣大小的晶圓就可以存放更多的資料，也就是成本相同的情況下，容量可以做的更大，這也是同樣容量，mlc**比slc低很多的原因。通常情況下相同容量的mlc和slc，mlc的**比slc低30％~40%，有些甚至更低。
區分slc(停產)和mlc（現在主流，分新老製程，60nm 和56/50nm ）
1、 看flash的型號：根據flash的命名規則，進行區分。
2、 測試讀寫速度：slc的非常快，mlc的很慢。
slc快閃儲存器：即單層式儲存 (single level cell；slc)，包括三星電子、hynix、美光（micron）以及東芝都是此技術使用者
mlc快閃儲存器：多層式儲存（multi level cell；mlc)，目前有東芝、renesas、三星使用，英飛凌（infineon）與saifun semiconductors合資利用nrom技術所共同開發的多位儲存（multi bit cell；mbc）。mlc是英特爾（intel）在2023年9月最先開發成功的，其作用是將兩個單位的資訊存入乙個floating gate，快閃儲存器儲存單元中存放電荷的部分），然後利用不同電位（level）的電荷，透過記憶體儲存的電壓控制精準讀寫，假設以4種電壓控制、1個電晶體可訪問2bits的資料，若是控制8種電壓就可以訪問3 bits的資料，使flash 的容量大幅提公升，類似rambus的qrsl技術，通過精確控制floating gat上的電荷數量，使其呈現出4種不同的儲存狀態，每種狀態代表兩個二進位制數值（從00到11）。
三星與東芝這兩家flash(快閃儲存器)製造商長期統治著快速增長 的nand flash市場。其中三星屬於最大的玩家，不斷採用先進工藝尺寸，以維持競爭優勢。本次主要對這兩家公司的最新快閃儲存器進行比較，同時也兼顧與hynix、美光和英特爾等公司的比照。
從歷史來看，三星將研發重點集中在了單層單元(slc)上。slc架構中每個快閃儲存器單元只能儲存1個位元的資訊。而東芝在轉向先進工藝技術方面同樣積極，不過其競爭優勢在於多層單元(nand快閃儲存器方面的設計經驗和能力。mlc快閃儲存器在每個儲存單元儲存2個位元的資訊，使得東芝可在給定面積的矽片上儲存更多的位元資訊，並在儲存器尺寸既定的情況下降低生產成本。因此，儘管東芝在工藝技術上可能落後於三星，但在裸片密度上仍是領跑者。
東芝的mlc快閃儲存器已經歷經數代，其中包括新近發布的採用70nm工藝的8gb快閃儲存器。2023年，東芝曾採用90nm技術與三星的73nm技術展開肉搏。東芝90nm mlc快閃儲存器的位元密度為29mb/mm2，遠遠高於三星73nm快閃儲存器的25.8mb/mm2的位元密度。
在儲存密度固定時，東芝甚至擁有比三星更小的裸片尺寸。例如，東芝90nm工藝生產的4gb nand快閃儲存器的 裸片尺寸為138mmsup>2，與之相比，三星73nm工藝生產的4gb nand快閃儲存器尺寸則為156mmsup>2。這使得東芝在成本方面更具競爭力。在用於檔案儲存方面，nand快閃儲存器不可避免地面臨**戰，我們也常常 聽到，只有**領導者才會贏得ipod設計中標。
雖然mlc在某些方面獲得相當的認可，但如今對快閃儲存器晶元的狂熱需求模糊了業界的視線。儲存卡製造商需要**低廉的晶元，但他們也需要穩定 的供貨。正是基於這個原因，據報道，去年kingston已就購買slc晶元作為第二貨源與三星進行了商談。他們商討該協議時，全然不顧mlc方案的成本 比slc要低30%。
長期以來，三星都在鼓吹slc而非mlc型nand快閃儲存器， 不過2023年和2023年該公司提交給國際固態電路大會(isscc)上提交的mlc技術**，標誌著該公司的觀點發生了變化。雖然在三星的**上仍舊 沒有任何有關mlc快閃儲存器的營銷資訊，但該公司的確已生產出了4gb mlc nand快閃儲存器晶元。雖然我們已對該晶元的樣品進行了分析，但要在市場中找到其樣品仍舊非常困難。其裸片尺寸是156mm2，同東芝採用90nm工藝的mlc型4gb nand快閃儲存器相比，還是大了18mm2，因此要能與東芝相匹敵，三星在其下一代nand mlc技術上還需要改進。
除了三星，hynix等其他儲存器製造商也在向mlc快閃儲存器邁進。雖然東芝憑藉多年的技術積累而在mlc技術上佔據優勢，但英特爾與美光科技的合資企業im flash也有能力結合英特爾mlc技術與美光的nand快閃儲存器，從而在mlc型nand快閃儲存器領域迅猛發展。
mlc快閃儲存器技術並非沒有不足，實際上，在採用先進工藝生產mlc快閃儲存器方面困難重重。隨著快閃儲存器技術的演進，在浮動柵(floating gate)中儲存的電荷總量減少了，使得檢測儲存的資訊變得更加困難，尤其是對mlc晶元而言，它需要識別四個電壓值，而非兩個。儘管如此，據報道，東芝 在70nm工藝中能夠保證採用與90nm技術相同的**糾錯方案。這顯示該公司並沒有放慢mlc技術縮放的步伐，最少是就現在而言。
此外，與slc快閃儲存器相比，mlc快閃儲存器在可靠性方面存在不足。雖然對於消費者而言，可靠性不是他們關注的核心問題，但在其它消費市場卻顯然是乙個弊端。
最新快閃儲存器市場排名出爐，NOR悲NAND喜
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