對mlc來說，乙個儲存單元儲存了兩個位元的資料，對應著兩個page：lower page和upper page。假設lower page先寫，然後再寫upper page的過程中，由於改變了整個cell的狀態，如果這個時候掉電，那麼之前寫入的lower page資料也丟失。一句話，寫乙個page失敗，可能會導致另外乙個page的資料損壞。
前面說到，不能隨機寫。不能先program upper page，然後再program lower page，這點就限制了我們不能隨意的寫。
寫lower page時間更短，寫upper page時間更長。所以會看到有些page寫入速度快，有些page寫入時間慢。讀取時間對lower page和upper page來說都差不多。
nandflash 分割槽相關
vivi 分割槽的內容一定要和核心分割槽一致！不然會導致掛載檔案系統或者其他失敗！1.vivi分割槽是在vivi燒寫到flash後執行命令 bon part 0 128k 192k 1216k 4288k 64656k這樣子來分割槽的。而不是在燒寫vivi的時候就已經分好的。2.vivi分割槽後需要...
mysql相關知識 MySQL相關知識
字串拼接 select from tablename where mydata like concat curdate limit 3 這裡concat是字串拼接,concat mys q l mysql 顯示日期不帶時間的函式,如 2015 05 14 curdate 是日期不算時間 2015 0...
NAND Flash快閃儲存器壞塊的相關知識
1.為什麼會出現壞塊 由於 nand flash的工藝不能保證nand的memory array在其生命週期中保持效能的可靠，因此，在nand的生產中及使用過程中會產生壞塊。壞塊的特性是 當程式設計 擦除這個塊時，不能將某些位拉高，這會造成page program和block erase操作時的錯誤...