磁珠
和電感在解決emi
和emc
方面各與什麼作用，首先我們來看看磁珠
和電感的區別，電感
是閉合迴路的一種屬性，多用於電源濾波迴路，而磁珠
主要多 用於訊號迴路，用於emc
對策磁珠主要用於抑制電磁輻射干擾，而電感用於這方面則側重於抑制傳導性干擾。磁珠是用來吸收超高頻訊號，象一些rf電 路，pll,振盪電路，含超高頻儲存器電路(ddr sdram,rambus等)都需要在電源輸入部分加磁珠，兩者都可用於處理emc
、emi
問題。磁 珠和電感在emi
和emc電路中關鍵是是對高頻傳導干擾訊號進行抑制，也有抑制電感的作用。但從原理方面來看，磁珠可等效成乙個電感，等於還是存在一定的 區別，最大區別在於電感線圈有分布電容。因此，電感線圈就相當於乙個電感與乙個分布電容併聯。如圖1所示。圖1中，lx為電感線圈的等效電感(理想電 感)，rx為線圈的等效電阻，cx為電感的分布電容。
圖1 電感線圈的等效電路圖
理論上對傳導干擾訊號進行抑制，要求抑制電感的電感量越大越好，但對於電感線圈來說，電感量越大，則電感線圈的分布電容也越大，兩者的作用將會互相抵消。
圖2 普通電感線圈的阻抗與頻率的關係圖
圖 2是普通電感線圈的阻抗與頻率的關係圖，由圖中可以看出，電感線圈的阻抗開始的時候是隨著頻率公升高而增大的，但當它的阻抗增大到最大值以後，阻抗反而隨著 頻率公升高而迅速下降，這是因為併聯分布電容的作用。當阻抗增到最大值的地方，就是電感線圈的分布電容與等效電感產生併聯諧振的地方。圖中，l1 > l2 > l3,由此可知電感線圈的電感量越大，其諧振頻率就越低。從圖2中可以看出，如果要對頻率為1mhz的干擾訊號進行抑制，選用l1倒不如選用l3,因為 l3的電感量要比l1小十幾倍，因此l3的成本也要比l1低很多。
如果我們還要對抑制頻率進一步提高，那麼我們最後選用的電感線圈就只好是它的最小極限值，只有1圈或不到1圈了。磁珠，即穿心電感，就是乙個匝數小於1圈的電感線圈。但穿心電感比單圈電感線圈的分布電容小好幾倍到幾十倍，因此，穿心電感比單圈電感線圈的工作頻率更高。
穿 心電感的電感量一般都比較小，大約在幾微亨到幾十微亨之間，電感量大小與穿心電感中導線的大小以及長度，還有磁珠的截面積都有關係，但與磁珠電感量關係最 大的還要算磁珠的相對導磁率uy.圖3、圖4是分別是指導線和穿心電感的原理圖，計算穿心電感時，首先要計算一根圓截面直導線的電感，然後計算結果乘上磁 珠相對導磁率 就可以求出穿心電感的電感量。
另外，當穿心電感
的工作頻率很高時，在磁珠
體內還會產生渦流，這相當於穿心電感
的導磁率要降低，此時，我們一般都使用有效導磁率。有效導磁率 就是在某個工作頻率之下，磁珠
的相對導磁率。但由於磁珠
的工作頻率都只是乙個範圍，因此在實際應用中多用平均導磁率。
在低頻時，一般磁珠的相對導磁率都很大(大於100)，但在高頻時其有效導磁率只有相對導磁率的幾分之一，甚至幾十分之一。因此，磁珠也有截止頻率的問題， 所謂截止頻率，就是使磁珠的有效導磁率下降到接近1時的工作頻率fc,此時磁珠已經失去乙個電感
的作用。一般磁珠的截止頻率fc都在30~300mhz之 間，截止頻率的高低與磁珠的材料有關，一般導磁率越高的磁芯材料，其截止頻率fc反而越低，因為低頻磁芯材料渦流損耗比較大。使用者在進行電路設計的時 候，可要求磁芯材料的提供商提供磁芯工作頻率與有效導磁率 的測試資料，或穿心電感在不同工作頻率之下的曲線圖。圖5是穿心電感的頻率曲線圖。
磁珠另乙個用途就是用來做電磁遮蔽，它的電磁遮蔽效果比遮蔽線的遮蔽效果還要好，這是一般人不太注意的。其使用方法就是讓一雙導線從磁珠中間穿過，那麼當有 電流從雙導線中流過時，其產生的磁場將大部份集中在磁珠體內，磁場不會再向外輻射;由於磁場在磁珠體內會產生渦流，渦流產生電力線的方向與導體表面電力線 的方向正好相反，互相可以抵消，因此，磁珠對於電場同樣有遮蔽作用，即：磁珠對導體中的電磁場有很強的遮蔽作用。
從上述我們可以了解到，磁珠和電感在emc
、emi
電路中都能起到抑制的作用，主要是抑制方面的不同，而電感在高頻諧振以後都不能再起電感的作用了，先必需 明白emi
的兩個途徑，即：輻射和傳導，不同的途徑採用不同的抑制方法。前者用磁珠，後者用電感。還需我們注意的地方是共模抑制電感與y電容的連線位置， 那什麼是共模抑制電感，就是在地線或其它輸入輸出線之間串聯電感，這個電感稱為共模抑制電感，共模抑制電感的一端與機器中的地線(公共端)相連，另一端與 乙個y電容相連，y電容的另一端與大地相連。這是抑制傳導干擾的最有效方法。
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