s5pv210啟動詳解
soc詳解。
2.bl1,bl2:為
bootloder1,bootloder
2.1（1）cpu
上電後先從內部
irom(
類似sram)
中讀取預先設定的**（
bl0），執行。這一段
irom
**首先做了一些基本的初始化（
cpu時鐘、關看門狗···）（這一段
irom
**是三星出廠前設定的，三星也不知道我們板子上將來接的是什麼樣的
dram
，因此這一段
irom
是不能負責初始化外接的
dram
的，因此這一段**只能初始化
soc內部的東西）；
注：然後這一段**會判斷我們選擇的啟動模式（我們通過硬體跳線可以更改板子的啟動模式），
（2）然後從相應的外部儲存器去讀取第一部分啟動**（
bl1，大小為
16kb
）到內部
sram。
2.2從
iram
去執行剛上一步讀取來的
bl1（
16kb
），然後執行。
bl1負責初始化
nandflash
，然後將
bl2讀取到
iram
（剩餘的
80kb
）然後執行
2.3從
iram
執行bl2
，bl2
初始化dram
，然後將
os讀取到
dram
中，然後啟動
os，啟動過程結束。
注：因為啟動**的大小是不定的，有些公司可能96kb就夠了，有些公司可能
1mb都不夠。所以剛才說的
2步的啟動方式不合適。
三星的解決方案是：把啟動**分為2半（
bl1和
bl2），這兩部分協同工作來完成啟動。
記憶體知識點
記憶體：
1. sram 靜態記憶體 特點就是容量小、**高，優點是不需要軟體初始化直接上電就能用
2. dram 動態記憶體 特點就是容量大、**低，缺點就是上電後不能直接使用，需要軟體初始化後才可以使用。
（1）微控制器中：記憶體需求量小，而且希望開發盡量簡單，適合全部用
sram
（2）嵌入式系統：記憶體需求量大，而且沒有
norflash
等可啟動介質
（3）pc機：
記憶體需求量大，而且軟體複雜，不在乎dram的初始化開銷，適合全部用
dram
外存：
1.norflash：特點是容量小，**高，優點是可以和
cpu直接匯流排式相連，
cpu上電後可以直接讀取，所以一般用作啟動介質。
2.nandflash（跟硬碟一樣）：特點是容量大，**低，缺點是不能匯流排式訪問，也就是說不能上電
cpu直接讀取，需要
cpu先執行一些初始化軟體，然後通過時序介面讀寫。
所以（1）一般
pc機都是：很小容量的
bios
（norflash）+
很大容量的硬碟（類似於
nandflash）+
大容量的
dram
（2）一般的微控制器：
很小容量的norflash +很小容量的
sram
（3）嵌入式系統：因為
norflash
很貴，隨意現在很多嵌入式系統傾向於不用
norflash，
直接用：外接的大容量nand + 外接大容量
dram + soc
內建sram
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