一、靜態特性
mos管作為開關元件，同樣是工作在截止或導通兩種狀態。由於mos管是電壓控制項，所以主要由柵源電壓ugs決定其工作狀態。
圖3.8(a)為由nmos增強型管構成的開關電路。
圖3.8 nmos管構成的開關電路及其等效電路
工作特性如下：
※ ugs＜開啟電壓ut：mos管工作在截止區，漏源電流ids基本為0，輸出電壓uds≈udd，mos管處於"斷開"狀態，其等效電路如圖3.8(b)所示。
※ ugs＞開啟電壓ut：mos管工作在導通區，漏源電流ids=udd/(rd+rds)。其中，rds為mos管導通時的漏源電阻。輸出電壓uds=udd·rds/(rd+rds),如果rds＜＜rd，則uds≈0v，mos管處於"接通"狀態，其等效電路如圖3.8(c)所示。
二、動態特性
mos管在導通與截止兩種狀態發生轉換時同樣存在過渡過程，但其動態特性主要取決於與電路有關的雜散電容充、放電所需的時間，而管子本身導通和截止時電荷積累和消散的時間是很小的。圖3.9(a)和(b)分別給出了乙個nmos管組成的電路及其動態特性示意圖。
圖3.9 nmos管動態特性示意圖
當輸入電壓ui由高變低，mos管由導通狀態轉換為截止狀態時，電源udd通過rd向雜散電容cl充電，充電時間常數τ1=rdcl。所以，輸出電壓uo要通過一定延時才由低電平變為高電平；當輸入電壓ui由低變高，mos管由截止狀態轉換為導通狀態時，雜散電容cl上的電荷通過rds進行放電，其放電時間常數τ2≈rdscl。可見，輸出電壓uo也要經過一定延時才能轉變成低電平。但因為rds比rd小得多，所以，由截止到導通的轉換時間比由導通到截止的轉換時間要短。
由於mos管導通時的漏源電阻rds比晶體三極體的飽和電阻rces要大得多，漏極外接電阻rd也比電晶體集電極電阻rc大，所以，mos管的充、放電時間較長，使mos管的開關速度比晶體三極體的開關速度低。不過，在cmos電路中，由於充電電路和放電電路都是低阻電路，因此，其充、放電過程都比較快，從而使cmos電路有較高的開關速度。
論MOS管開關對電源的影響
mos管做為開關是一種常用的方式，在電路中比較常用的是乙個三極體加乙個mos管，或者乙個nmos加乙個pmos。常用電路如圖1圖2所示。而我們今天來討論的是基於圖2電路引起的mos關做開關對輸入端電源的影響。圖1 三極體加mos管形式開關電路 圖2 nmos加pmos形式開關電路 在使用圖2做電源開...
MOS開關管額定電流的選擇
開關管額定電流的選擇是對額定電流與殼溫的關係 導通電阻與結溫的關係 導通電阻產生的電壓降等因素的綜合。從額定電流與殼溫的關係，需要選擇開關管的額定電流為開關實際峰值電流的 2倍。考慮到高壓 mos管的導通電阻比較高，所產生的電壓降也會比較高。如 irfbc40 在最高結溫時流過額定電流一半的狀態下導...
基於MOS管的負載開關電路
執行環境 原理圖 q1 增強型pmos 源極s接輸入，漏極d接輸出 開路輸出加上拉電阻 若vgs vgs th 此處vgs th 為負值，pmos導通，vd vs vcc。q2 增強型nmos，漏極d接輸入，源極s接輸出。若vgs vgs th 此處vgs th 為正值，nmos導通，vd vs 0...