1.nor flash和nand flash
對於flash儲存器件的可靠性需要考慮3點：位反轉、壞塊和可擦除次數。所有的flash器件（包括nor flash和nand flash）都遭遇位反轉的問題：由於flash固有的電器特性，在讀寫資料過程中，偶然會產生一位或幾位資料錯誤（這種概率很低），nand flash出現這種問題的機率遠大於nor flash。當位反**生在關鍵的**、資料上時，有可能導致系統崩潰。當僅僅是報告位反轉，重新讀取即可；如果確實發生了位反轉，則必須有相應的錯誤檢測/恢復措施，推薦使用edc/ecc進行錯誤檢測/恢復。
嵌入式linux對nor、nand flash的軟體支援都很成熟，在nor flash上常用jffs2檔案系統，而在nand flash上常用yaffs檔案系統。在更底層，有mtd驅動程式（源**位於linux源**的/drivers/mtd中）實現對它們的讀、寫和擦除操作，它也實現了edc/ecc校驗。
2.k9f1208u0m儲存格式
k9f1208u0m容量為528mbit=64mb，內部分為131072行（頁）、528列；每一行（頁）大小為512位元組，外加16位元組的額外空間，這16位元組的額外空間的列位址為512~527。
k9f1208u0m的64mb的儲存空間需要26位位址，因此以位元組為單位訪問flash時需要4個位址序列：列位址（a0~a7）、行位址的低位部分以及行位址的高位部分（a9~a25）。讀寫頁在發出命令後，需要4個位址序列，而擦除塊在發出擦除命令後僅需要3個位址序列。這是因為nand flash一般以512位元組為單位進行讀寫，nand flash的塊大小範圍為8kb~64kb，讀寫是按行（頁）進行，而擦除是以塊為單位完成的。
3.讀操作方法
操作nand flash時，先傳輸命令，然後傳輸位址，最後讀/寫資料，期間要檢查flash的狀態。
k9f1208u0m一頁的大小為512位元組，分為兩部分：上半部、下半部。
列位址的8bits用來在半頁（256位元組）中定址。
當發出讀命令00h時，表示列位址將在上半部定址；當發出讀命令01h時，表示列位址將在下半部定址。a8位址線將被讀命令00h設定為低電平，被01h設定為高電平。所以2440向k9f1208u0m傳輸位址過程中不會出現a8，在k9f1208u0m內部a8會根據命令自動被設定為高電平或低電平。
k9f1208u0m一頁大小為528位元組，而列位址a0~a7可以定址的範圍是256位元組，所以必須輔以其他手段才能完全定址這528位元組，將一頁分為a、b、c三個區：a區為0~255位元組，b區為256~511位元組，c區為512~527位元組。訪問某頁時，需要選定特定的區：命令00h選中a區、命令01h選中b區、命令50h選中c區。命令00h和50h會使得訪問flash的位址指標一直從a區或c區開始，除非發出了其他的修改位址指標的命令。而命令01h的效果只能維持一次，當前的讀、寫、擦除、復位或者上電操作完成之後，位址指標將重新指向a區。
4.寫操作方法
寫操作命令分為兩種：page program（true）和page program（dummy）。page program（true）需要的命令組合為80h和10h；而page program（dummy）需要的命令組合為80h和11h。寫不同於讀操作，寫操作不分a、b、c三個部分，因為nand flash的寫操作一般是以頁為單位的，但是也可以只寫一頁中的一部分。寫操作的位址序列依然同讀一致，a8依然是沒有的，所以寫nand flash一部分的位址只能是在a0~a7定址空間內開始。
page program（true）：發出命令80h後，緊接著是4個位址序列，然後向flash傳送資料（最大可以達到528位元組），然後發出10h啟動寫操作，這時flash會自動完成寫、校驗操作。一旦發出10h後，就可以通過讀取狀態命令70h獲知當前的寫操作是否完成、是否成功。
page program（dummy）：由於k9f1208u0m內部分為4個128mbit的儲存層，每個儲存層包含1024個block（不是頁而是塊）和528個暫存器。這使得可以同時寫多個頁或者同時擦除多個塊。k9f1208u0m的第1塊位於第1個儲存層、第2塊位於第2個儲存層、第3個塊位於第3個儲存層、第4個塊位於第4個儲存層，以此類推。這樣當用於需要連續寫1~4塊時，就能夠充分使用這4個儲存層各自的528位元組儲存器。
5.塊擦除
k9f1208u0m塊大小為16kb，當發出60h命令後，後續需要發出3個位址（第2、3、4cycle的位址），並且a9~a13被忽略，即可完成塊擦除操作。
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