假定現在有乙個產品，需要儲存一些引數，引數的個數並不多，總共為10個位元組，用eeprom來儲存就可以滿足需求，我們選用了容量為256位元組的 eeprom，如果我們不做過多考慮，很有可能就是直接將這10個位元組從eeprom的首位址開始儲存，每次改寫也是直接修改這部分內容，這樣我們最多可 以儲存引數10萬次。只要我們做一點簡單處理，就可以將儲存引數的次數成倍增加，來看看我們應該如何實現。
直接儲存的最簡方法：
位址 0x00 0x01 0x02 ... 0x09
內容 data1 data2 data3 ... data10
改進的儲存方法：
處理方法是將256位元組按16位元組大小分成16等份，按後面格式儲存引數
位址 0x10*n +0x00 +0x01 +0x02 ... +0x09 +0x0a +0x0b +0x0c +0x0d +0x0e +0x0f
內容 flag data1 data2 ... data9 data10 保留1 保留2 保留3 保留4 check_sum
check_sum=(flag+data1+data2+...+data10+保留1+...+保留4 )&0xff
flag為0xa5表示當前16個位元組為正在使用的記錄，為其它值表示當前16位元組已經丟棄
讀取引數的時候先從位址0x10*n+0x00讀flag，如果為0xa5表明當前記錄為正在使用中，讀出全部內容，並按前面公式進行校驗，如果校驗出 錯，則當前引數不可靠，直接使用預設引數，並將當前區域的flag改寫為0，同時在位址0x10*(n+1)位置開始將預設引數寫入，位址0x10* (n+1)寫入內容為0xa5。如果所有區域都沒有發現有效記錄，在位址0寫入預設引數。
每次需要更改引數設定時，先將當前記錄位置的flag改為0，然後再下一條記錄位置寫入新的引數，這個順序可以做出適當改進，比如對寫入時斷電等意外情況 做出考慮，從而得到更可靠的寫入結果，不過就按此方法也都可以滿足應用需求。
再來對比一下兩種方法，最簡方法只能儲存10萬次，改進的方法理論上增加了16倍，達到160萬次，如果預估最簡方法產品是3年內絕對不會出錯，現在就增 加到了48年，乙個電子產品使用超過3年還是有可能，但用48年的可能性就非常之小，可以視同為0。對於flash晶元也是同樣道理，這裡就不重複舉例說 明，在應用中也應該做出同樣的處理。
原文：
關於呼叫flash
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