微控制器內外部ram
下面主要講小晶元，即連mcu都算不上的一些小晶元。
晶元基本都包括其內部的ram、外部ram、eeprom、flash 等
flash 程式儲存器，其有擦寫壽命，而且小晶元的flash擦寫壽命都不高，所有在程式中
最好不要隨意的去擦寫。不過有些資料需要掉電不丟失，而操作次數不多的話可以考慮動
態儲存在flash中。
儲存大小對於晶元來說是很緊張的一件事情。乙個小晶元的儲存容量是很有限的。
雖然 比爾蓋茨說過：64k is enough for everybody ！ 但是這是針對程式儲存器而言。
小晶元的內部ram容量都很小，但是訪問速度很快。外部ram容量相對較大，但是訪
問速度慢。 而且晶元定址在內部的基礎上還增加了兩位。 也就是說內部指標變數大小
兩個位元組的話，外部指標變數大小則要佔四個位元組（有的晶元是三個位元組）。
一般在晶元程式設計的時候，新手很少去注意變數定義在**，指標指向的變數是外部
ram的還是內部ram的。因為直接用c編出來實現功能就ok了，哪還管那麼多。其實
不然。做程式設計師就要做乙個有潔癖的程式設計師，追求**質量。
在處理內外部ram時，使用很頻繁的變數放在內部ram中，不怎麼頻繁訪問的常
量就放在外部ram。 當內部ram快用完了，怎麼辦呢？直接就用外部ram嗎？但是這
樣訪問速度就慢了。怎麼去解決這個問題，很容易做到。首先將變數定義在外部ram
中，然後在內部ram中定義乙個指標，該指標指向外部ram變數。注意指標變數不要
定義在外部ram中，這樣起不到提高訪問速度的效果。
現在就剩下最後乙個問題了，如何指定變數定義在外部ram和內部ram中呢？這
個問題當你拿到晶元手冊和該晶元配套編譯器說明的時候，你就可以從上面找到。
51微控制器大家都很熟悉，它就有偽指令，去指定變數定義在內部ram還是外部ram，
還可以直接把變數寫入flash中。晶元編譯器會說明這些細節，還有不要過分相信編譯
器。
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