ram（random access memory）的全名為隨機訪問記憶體，它相當於pc機上的移動儲存，用來儲存和儲存資料的。它在任何時候都可以讀寫，ram通常是作為作業系統或其他正在執行程式的臨時儲存介質（可稱作系統記憶體）。
不過，當電源關閉時ram不能保留資料，如果需要儲存資料，就必須把它們寫入到乙個長期的儲存器中（例如硬碟）。正因為如此，有時也將ram稱作「可變儲存器」。ram記憶體可以進一步分為靜態ram（sram）和動態記憶體（dram）兩大類。dram由於具有較低的單位容量**，所以被大量的採用作為系統的主記憶。
rom（read only memory）的全名為唯讀記憶體，它相當於pc機上的硬碟，用來儲存和儲存資料。rom資料不能隨意更新，但是在任何時候都可以讀取。即使是斷電，rom也能夠保留資料。但是資料一但寫入後只能用特殊方法或根本無法更改，因此rom常在嵌入式系統中擔任存放作業系統的用途。現在市面上主流的pda的rom大小是64mb以及128mb。
ram和rom相比，兩者的最大區別是ram在斷電以後儲存在上面的資料會自動消失，而rom就不會。
由於rom不易更改的特性讓更新資料變得相當麻煩，因此就有了flash memory的發展 ，flash memory具有rom不需電力維持資料的好處，又可以在需要的時候任意更改資料 ，不過單價也比普通的rom要高。
sram速度非常快，是目前讀寫最快的儲存裝置了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如cpu的一級緩衝，二級緩衝。動態ram（dynamic ram/dram）保留資料的時間很短，速度也比sram慢，不過它還是比任何的rom都要快，但從**上來說dram相比sram要便宜很多，計算機記憶體就是dram的。
dram分為很多種，常見的主要有fpram/fastpage、edoram、sdram、ddr ram、rdram、sgram以及wram等，這裡介紹其中的一種ddr ram。
ddr ram（date-rate ram）也稱作ddr sdram，這種改進型的ram和sdram是基本一樣的，不同之處在於它可以在乙個時鐘讀寫兩次資料，這樣就使得資料傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的記憶體，而且它有著成本優勢，事實上擊敗了intel的另外一種記憶體標準－rambus dram。在很多高階的顯示卡上，也配備了高速ddr ram來提高頻寬，這可以大幅度提高3d加速卡的畫素渲染能力。
記憶體工作原理：記憶體是用來存放當前正在使用的（即執行中）的資料和程式，我們平常所提到的計算機的記憶體指的是動態記憶體（即dram），動態記憶體中所謂的"動態"，指的是當我們將資料寫入dram後，經過一段時間，資料會丟失，因此需要乙個額外設電路進行記憶體重新整理操作。
具體的工作過程是這樣的：乙個dram的儲存單元儲存的是0還是1取決於電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是資料丟失的原因；重新整理操作定期對電容進行檢查，若電量大於滿電量的1／2，則認為其代表1，並把電容充滿電；若電量小於1／2，則認為其代表0，並把電容放電，藉此來保持資料的連續性。
rom也有很多種，prom是可程式設計的rom，prom和eprom（可擦除可程式設計rom）兩者區別是，prom是一次性的，也就是軟體灌入後，就無法修改了，這種是早期的產品，現在已經不可能使用了，而eprom是通過紫外光的照射擦出原先的程式，是一種通用的儲存器。另外一種eeprom是通過電子擦出，**很高，寫入時間很長，寫入很慢。
舉個例子，手機軟體一般放在eeprom中，我們打**，有些最後撥打的號碼，暫時是存在sram中的，不是馬上寫入通過記錄（聯絡歷史儲存在eeprom中），因為當時有很重要工作（通話）要做，如果寫入，漫長的等待是讓使用者忍無可忍的。
儲存裝置
儲存器特點
ram
flash memory
rom中文名稱
（random access memory）的全名為隨機訪問器
flash儲存器又稱快閃儲存器
rom（read only memory）的全名為唯讀儲存器
電源關閉資料是否保留 否
是 是主要分類
sram（靜態隨機儲存器）和dram（動態隨機儲存器）
nor flash和nand flash型
prom、eprom、e2prom 速度
較快
較慢
rom
不同rom
特點mask rom
prom
eprom
e2prom
flash rom
寫入次數
一次性由廠家寫入資料，使用者無法修改
出廠並未寫入資料，由使用者程式設計一次性寫入資料
通過紫外光的照射，擦掉原先的程式。晶元可重複寫入
通過加電擦出原資料，通過高壓脈衝可以寫入資料。使用方便但**較高，而且寫入時間較長，寫入較慢
結構簡單、控制靈活、程式設計可靠、加電擦寫快捷的優點、而且整合度可以做得很高，它綜合了：不會斷電丟失（nvram），快速讀取，點可擦寫程式設計（e2prom）
產品例項
intel的28系列、winbond公司的w27-29系列及amd公司的29系列等
u盤（nand flash）
flash rom
儲存器特點
nor flash
nand flash
效能比較
1、nor flash的讀速度比nand flash的讀速度；
2、nand flash的寫入速度比nor flash快很多；
3、nand flash的4ms擦出速度遠比nor flash的5s快。大多數寫入操作需要先進行擦除操作。
4、nand flash的隨機讀取能力差，適合大量資料的連續讀寫。
介面差別
1、nor flash帶有sram介面，有足夠的位址引腳來定址，可以很容易地訪問其內部的每乙個位元組。nand flash位址、資料和命令共用8位匯流排(samsung公司某些新的nand flash有16位匯流排)，每次讀寫都要使用複雜的i/o介面序列地儲存資料，8個引腳用來傳送控制、位址和資料資訊。
2、nand flash讀和寫操作採用512b的塊，有點像硬碟管理操作。因此基於nand flash結構可以取代硬碟或其他裝置。
容量和成本
1、nand flash的單元尺寸幾乎是nor flash的一半，由於生產過程更為簡單，nand flash結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也相應地降低了**。
2、nor flash容量一般較小，通常在1mb~8mb之間。而nand flash只是用在8mb以上的產品當中，這也說明了nor flash主要應用在**儲存介質中，nand flash適用於資料儲存。nand flash在compactflash、secure digital、pc cards和mmc儲存卡市場所佔份額最大。
可靠性和耐用性
壽命(耐用性)
nand flash中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而nor flash的讀寫次數是十萬次。典型的nand flash塊尺寸要比nor型快閃儲存器小8倍。
位交換
nand flash發生的次數要比nor flash多flash memory器件都受位交換現象的困擾。
塊壞處理
nand flash中壞塊是隨機分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力，但發現成品率太低，代價太高，根本不划算。nand flash需要對介質進行初始化掃瞄以發現壞塊，並將壞塊標記為不可用。在已製成的器件中，如果通過可靠的方法不能進行這項處理，將導致高故障率。
易用性
可以非常直接地使用nor flash，可以像其他記憶體那樣連線，並可以在上面直接執行**。
由於需要i/o介面，nand flash要複雜得多。各種nand的儲存方法因廠家而異。
軟體支援
不需要任何的軟體支援
需要驅動程式，也包括記憶體技術驅動程式（mtd）
市場定位
用於資料可靠性要求較高的**儲存、通訊產品、網路處理等領域，nor flash也被稱為**快閃儲存器（code flash）。
用於對儲存容量要求較高的***、儲存卡、u盤等領域。正是如此，nand flash也被稱為資料快閃儲存器（data flash）。
ram
不同sram
特點sram
dram
ddram（基於sram）
全稱static ram
，靜態隨機儲存器
dynamic ram
，動態隨機儲存器
double data rate sdram，雙倍速率隨機儲存器
儲存速度
較快較慢 成本
較高較低 技術
雙倍預取技術
ddram技術採用差分方式，ddram比sdram多一倍的傳輸速率和記憶體寬度。
RAM和ROM是什麼？RAM和ROM其實都是記憶體
ram是隨機訪問儲存器 random access memory 是計算機內部儲存器中的一種，也是其中最重要的，計算機和手機中一般把其叫做執行記憶體，它的速度要比硬碟快得多，所以用執行程式在ram中，而存放執行時不用的資料則在硬碟中，什麼時候需要資料，便把資料從硬碟中拿到記憶體，但同時ram斷電會丟...
ROM和RAM測試總結
在硬體系統出廠前要進行產品測試 在嵌入式系統工作之前，一般也要進行自檢，其中rom和ram檢測必不可少,可是有不少人對於測試目的 原因和方法存在錯誤理解。為什麼要測試rom和ram，怎麼測試呢？普遍的看法是 由於擔心rom和ram晶元損壞，在出廠和使用前應該校驗這兩種晶元的好壞。測試ram的方法是寫...
RAM和ROM的區別
ram ramdomaccessmemory易揮發性隨機訪問儲存器，高速訪問，讀寫時間相等，且與位址無關，如計算機記憶體等。rom read only memory唯讀儲存器。斷電後資訊不丟失，如計算機啟動用的bios晶元。訪問速度很低，較ram而言 且不能改寫。由於不能改寫資訊，不能公升級，現已很...