ccd——英文charge couple device的縮寫，中文名稱「電荷耦合器件」。
cmos——英文complementary metal-oxide semiconductor的縮寫，中文名稱為「互補金屬氧化物半導體」。
ccd與cmos感測器是當前被普遍採用的兩種影象感測器，兩者都是利用感光二極體(photodiode)進行光電轉換，將影象轉換為數字資料，而其主要差異是數字資料傳送的方式不同。
如下圖所示，ccd感測器中每一行中每乙個象素的電荷資料都會依次傳送到下乙個象素中，由最底端部分輸出，再經由感測器邊緣的放大器進行放大輸出；而在cmos感測器中，每個象素都會鄰接乙個放大器及a/d轉換電路，用類似記憶體電路的方式將資料輸出。
造成這種差異的原因在於：ccd的特殊工藝可保證資料在傳送時不會失真，因此各個象素的資料可匯聚至邊緣再進行放大處理；而cmos工藝的資料在傳送距離較長時會產生雜訊，因此，必須先放大，再整合各個象素的資料。
由於資料傳送方式不同，因此ccd與cmos感測器在效能與應用上也有諸多差異，這些差異包括：
1. 靈敏度差異：由於cmos感測器的每個象素由四個電晶體與乙個感光二極體構成(含放大器與a/d轉換電路)，使得每個象素的感光區域遠小於象素本身的表面積，因此在象素尺寸相同的情況下，cmos感測器的靈敏度要低於ccd感測器。
2. 成本差異：由於cmos感測器採用一般半導體電路最常用的cmos工藝，可以輕易地將周邊電路(如agc、cds、timing generator、或dsp等)整合到感測器晶元中，因此可以節省外圍晶元的成本；除此之外，由於ccd採用電荷傳遞的方式傳送資料，只要其中有乙個象素不能執行，就會導致一整排的資料不能傳送，因此控制ccd感測器的成品率比cmos感測器困難許多，即使有經驗的廠商也很難在產品問世的半年內突破 50%的水平，因此，ccd感測器的成本會高於cmos感測器。
3. 解析度差異：如上所述，cmos感測器的每個象素都比ccd感測器複雜，其象素尺寸很難達到ccd感測器的水平，因此，當我們比較相同尺寸的ccd與cmos感測器時，ccd感測器的解析度通常會優於cmos感測器的水平。例如，目前市面上cmos感測器最高可達到210永珍素的水平(omnivision的 ov2610，2023年6月推出)，其尺寸為1/2英吋，象素尺寸為4.25μm，但sony在2023年12月推出了icx452，其尺寸與 ov2610相差不多(1/1.8英吋)，但解析度卻能高達513永珍素，象素尺寸也只有2.78mm的水平。
4. 雜訊差異：由於cmos感測器的每個感光二極體都需搭配乙個放大器，而放大器屬於模擬電路，很難讓每個放大器所得到的結果保持一致，因此與只有乙個放大器放在晶元邊緣的ccd感測器相比，cmos感測器的雜訊就會增加很多，影響影象品質。
5. 功耗差異：cmos感測器的影象採集方式為主動式，感光二極體所產生的電荷會直接由電晶體放大輸出，但ccd感測器為被動式採集，需外加電壓讓每個象素中的電荷移動，而此外加電壓通常需要達到12~18v；因此，ccd感測器除了在電源管理電路設計上的難度更高之外(需外加 power ic)，高驅動電壓更使其功耗遠高於cmos感測器的水平。舉例來說，omnivision近期推出的ov7640(1/4英吋、vga)，在 30 fps的速度下執行，功耗僅為40mw；而致力於低功耗ccd感測器的sanyo公司去年推出了1/7英吋、cif等級的產品，其功耗卻仍保持在90mw 以上，雖然該公司近期將推出35mw的新產品，但仍與cmos感測器存在差距，且仍處於樣品階段。
綜上所述，ccd感測器在靈敏度、解析度、雜訊控制等方面都優於cmos感測器，而cmos感測器則具有低成本、低功耗、以及高整合度的特點。不過，隨著ccd與cmos感測器技術的進步，兩者的差異有逐漸縮小的態勢，例如，ccd感測器一直在功耗上作改進，以應用於移動通訊市場(這方面的代表業者為sanyo)；cmos感測器則在改善解析度與靈敏度方面的不足，以應用於更高階的影象產品，我們可以從以下各主要廠商的產品規劃來看出一些端倪。
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cmos和ccd的區別
ccd的英文全稱是 charge coupleddevice 中文全稱是電行耦合元件，通常稱為ccd影象感測器。ccd是一種半導體器件，能夠把光學影像轉化為數碼訊號，ccd上植入的微小光敏物質稱作畫素 pixel 一塊cco上包含的畫素數越多，其提供的畫面解析度也就越高。ccd作用就像膠片一樣，但它...
CCD與CMOS的區別
ccd與cmos的區別 從技術的角度比較，ccd與cmos有如下四個方面的不同 1.資訊讀取方式 ccd電荷耦合器儲存的電荷資訊，需在同步訊號控制下一位一位地實施轉移後讀取，電荷資訊轉移和讀取輸出需要有時鐘控制電路和三組不同的電源相配合，整個電路較為複雜。cmos光電感測器經光電轉換後直接產生電流 ...
CCD和CMOS有什麼區別
ccd和cmos在製造上的主要區別是ccd是整合在半導體單晶材料上，而cmos是整合在被稱做金屬氧化物的半導體材料上，工作原理沒有本質的區別。ccd只有少數幾個廠商例如索尼 松下等掌握這種技術。而且ccd製造工藝較複雜，採用ccd的攝像頭 都會相對比較貴。事實上經過技術改造，目前ccd和cmos的實...