prom是可程式設計器件,主流產品是採用雙層柵(二層poly)結構,其中有eprom和eeprom等,工作原理
大體相同,主要結構如圖所示：
浮柵中沒有電子注入時,在控制柵加電壓時,浮柵中的電子跑到上層,下層出現空穴。
由於感應,便會吸引電子,並開啟溝道。
如果浮柵中有電子的注入時,即加大的管子的閾值電壓,
溝道處於關閉狀態。這樣就達成了開關功能。
如圖2所示,這是eprom的寫入過程,在漏极加高壓,電子從源極流向漏極
溝道充分開啟。在高壓的作用下,電子的拉力加強,能量使電子的溫度極度
上公升,變為熱電子(hot electron)。這種電子幾乎不受原子的振動作用引起的散射,
在受控制柵的施加的高壓時,熱電子使能躍過sio2的勢壘,注入到浮柵中。
在沒有別的外力的情況下,電子會很好的保持著。在需要消去電子時,利用紫外線
進行照射,給電子足夠的能量,逃逸出浮柵。
eeprom的寫入過程,是利用了隧道效應,即能量小於能量勢壘的電子能夠穿越勢壘到達另一邊。
量子力學認為物理尺寸與電子自由程相當時,電子將呈現波動性,這裡就是表明物體要足夠的小。
就pn結來看,當p和n的雜質濃度達到一定水平時,並且空間電荷極少時,電子就會因隧道效應嚮導帶遷移。
電子的能量處於某個級別允許級別的範圍稱為「帶」,較低的能帶稱為價帶,較高的能帶稱為導帶。
電子到達較高的導帶時就可以在原子間自由的運動,這種運動就是電流。
eeprom寫入過程,如圖3所示,根據隧道效應,包圍浮柵的sio2,必須極薄以降低勢壘。
源漏極接地,處於導通狀態。在控制柵上施加高於閾值電壓的高壓,以減少電場作用,吸引電子
穿越。
要達到消去電子的要求,eeprom也是通過隧道效應達成的。如圖4所示,在漏极加高壓,控制柵
為0v,翻轉拉力方向,將電子從浮柵中拉出。這個動作,如果控制不好,會出現過消去的結果。
摘自：http://www.laogu.com/wz_1584.htm
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