註明來自
以mlc為例：
對fgf（floating gate flash）技術的，mlc programming一般分兩步走：先program lower page，然後program upper page。
對某個cell來說，當寫入1時，無需programming，閾值電壓保持不變，還是處於e狀態；當寫入0時，必須進行programming，使它的閾值電壓落到d範圍 ，即e->d。
programming某個page時，往其所在的wl控制極上施加高電平，襯底接地，對需要programming的儲存單元（如上圖綠色圈起來的cell）：1->0，其bitline接地；對不需要programming的儲存單元（如上圖紅色圈起來的cell）：1->1，bitline拉高，就能抑制其programming。
由於每個儲存單元的體質不一樣，有些cell很快就能讓其閾值電壓跳到d範圍，而有些儲存單元需要若干次programming，才能使其到達d。flash採用program + verify的方式進行programming，即開始在wl控制極上施加乙個電壓，如上圖所示，假設vpgm =19v，讓這個電壓持續一段時間，然後撤掉，對每個programming的儲存單元進行驗證，看其閾值電壓是否超過驗證電壓vvfy，如果超過，說明達到d狀態，這些儲存單元的bitline從接地到拉高，讓其不再繼續programming，而對那些沒有達到d狀態的儲存單元，還需要繼續programming。vpgm會加大，比如增加0.5v，vpgm = 19.5v，繼續programming，verify，直到達到d狀態。
在programming upper page之前，flash需要讀取該page，獲取page中所有cell的當前狀態，然後根據輸入，programming cell到相應的目標狀態。
如果當前cell狀態處於e，如果寫入1，無需programming，e狀態保持不變;如果寫入0，則需要programming該cell到狀態d1； 如果當前cell狀態處於d，如果寫入1，program該cell到d2;如果寫入0，則需要programming該cell到狀態d3；
比較一下lower page programming和upper page programming，有以下幾個不同：
1.program upper page時，需先知道當前cell的狀態，在programming之前需要讀所有的cells； program lower page時候無需此操作，因為所有cell都處於擦除狀態；
2.program upper page時，需要verify好幾個電平，而program lower page時，只需verify乙個電平；
3.program lower page時，e狀態和d狀態可以隔得比較遠，因此program時候可以加更大的初始program電壓和更大的步進（step）電壓；而program upper page時，e，d1，d2，d3之間的間隔比較小，因此program需要更精細的控制電壓，不然一下program過頭了。比如本來期望從e狀態跳躍到d1狀態，不小心電壓加大了，直接就跳到d2，那就麻煩了。
分兩次寫最大的問題是，如果在programming upper page時發生異常掉電，那麼之前lower page的資料也丟失。
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