1、sram儲存單元的不足
電晶體過多
儲存密度低
功耗大2、dram儲存單元的基本結構
解決sram不足採取的方法：
去掉兩個負載管t3、t4
提公升儲存密度
降低功耗
降低成本
利用柵極分布電容緩衝電荷
增加電路協同儲存單元工作
3、dram儲存單元的工作原理
寫操作
y位址選通
t7、t8管導通
i/o端資料寫入到位線
x位址選通
t5、t6管導通
位線與c2、c1相連
讀操作：
給出預充訊號
t9、t10導通
充電電壓給cd充電（充滿）
撤除預充訊號
x位址選通
t5、t6管導通
右cd通過c1放電
左cd給c2充電
y位址選通
t7、t8管導通
左cd與右cd間形成放電電流
讀過程比寫複雜、速度慢
保持操作：
x位址選通訊號撤銷
y位址選通訊號撤銷
柵極電容容量有限，可持續的時間很短。
重新整理操作：
給出預充訊號
t9、t10導通
充電電壓給左右cd充電
撤除預充訊號
x位址選通
t5、t6管導通
右cd通過c1放電
左cd給c2充電
3、dram儲存單元的重新整理
重新整理周期：兩次重新整理之間的時間間隔
雙解碼結構的dram重新整理按行進行，需要知道dram晶元儲存矩陣的行數
重新整理位址由重新整理位址計數器給出。
5、dram與sram的對比
6、其他結構的dram儲存單元
進一步提高儲存密度
裁剪冗餘電路
核心是電容
計算機組成原理 儲存器
儲存器 計算機記憶儲存部件 分類 儲存器材質 半導體為主 儲存器作用 主存，快取，輔存 儲存器訪問方式 層次結構 暫存器 快取 主存 虛擬儲存器 輔存 磁碟 磁帶 主存 與cpu交換資料 通過資料匯流排和位址匯流排 以及mar,mdr 組成 儲存體 主存晶元 mar,mdr cpu晶元上 儲存體 儲...
計算機組成原理 儲存器
資料和命令存放在儲存器中。儲存器 memory 是現代資訊科技中用於儲存資訊的記憶裝置。其概念很廣，有很多層次，在數字系統中，只要能儲存二進位制資料的都可以是儲存器 在積體電路中，乙個沒有實物形式的具有儲存功能的電路也叫儲存器。1 儲存器包括主儲存器 記憶體 和外儲存器 輔助儲存器 記憶體又包括ra...
計算機原理之儲存器組織
1 乙個觸發器可以對1位資訊進行儲存，這樣的儲存能力要儲存一大堆的資訊還遠遠不夠，但它卻為我們達到目標邁出了堅實的非同步。2 d型電平觸發器如下圖所示 從這裡的意思來看，儲存一位資訊的步驟為 a 將時鐘輸入設定為1 b 在資料端輸入需要儲存的數 c 將時鐘輸入修改為0，此時q端輸出的資料就是上次資料...