光電二極體和 整合反饋電阻和電容的前置放大器
s8745-01和s8746-01是低雜訊感測器，由矽光電二極體、運算放大器、反饋電阻和電容組成，全部整合在乙個小封裝中。通過簡單地連線電源，s8745-01和s8746-01可用於分析裝置和測量裝置等微光測量。光電二極體的光敏區與gnd端子內部連線，使其對電磁相容雜訊具有很高的抵抗力。
紫外-近紅外精密測光用矽光電二極體
帶石英窗的小金屬包裝
s8745-01：至-5
s8746-01:至-8
感光面積
s844.01×742公釐
s8746-01:5.8×5.8公釐
低功耗fet輸入運算放大器
消散內建rf=1 gω和cf=5 pf
外部連線電阻器的可變增益
低噪音和棉結
具有遮蔽效果的包裝
抗電磁相容雜訊
分光光度法
通用光學測量
s8745-01和s8746-01的內建反饋電阻和電容分別為1gω和5pf。這種組合在190至1100 nm波長範圍內提供了約0.1至0.5 v/nw的靈敏度。
電流-電壓轉換增益可以通過在s8745-01引腳4和6之間以及s8746-01引腳9和12之間連線外部反饋電阻器來改變[圖5]。圖2顯示了s8745-01和s8746-01的頻率響應特性，無論是否有外部連線的反饋電阻器。由於s8745-01和s8746-01有乙個1gω的內建電阻器，例如，通過外部連線111 mω的電阻器，總反饋電阻將轉換為100 mω。根據入射光的水平選擇所需的常數檢測到。注意：如果外部反饋電阻小於等於1 mω，則頻率響應中可能出現增益峰值。因此，務必連線匹配的反饋電容器進行相位補償。
輸出雜訊電壓和nep（雜訊等效功率）特性允許您檢查裝置是否可以檢測到您要測量的低電平光。由於nep由右圖所示的方程（1）給出，因此可以從圖1和圖4中很容易地計算出除λp以外波長的nep。
注：當s8745-01和s8746-01僅與內部電流-電壓增益一起使用時，建議將「-in」導線（s8745-01的針腳6；s8746-01的針腳9）剪短，以減少外部噪音的影響
盡可能多。
s8745-01和s8746-01使用具有防護環效果的包裝。為使其在測量期間有效，封裝導線（s8745-01的針腳5；s8746-01的針腳5和11）應連線到地線。當反饋電阻器外部連線時，有必要在電路板上提供乙個保護環或為引線提供乙個聚四氟乙烯支架。
注：0.1至10μf的鉭或陶瓷電容器必須連線到電源電壓引線（s8745-01的引腳3和9；s8746-01的引腳1和4），作為旁路電容器，用於防止裝置振盪。
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