動態ram
1.動靜態的區別是儲存原理的不同，但是它們的命名是由過程中的動作的差別，如動態的過程中有重新整理的動作。
2.動態ram比靜態的ram的整合度要高，功耗要小（整合度代表著完成乙個相同的功能所需的器件數，動態ram所需的mos管數比靜態所需的要少）。
單管動態基本單元電路的整合度比三管動態基本單元電路要高。
動態ram中的電容儲存著電荷，電荷的多少代表著儲存的資訊。動態ram中的電容相當於靜態ram中的雙穩態觸發器，具有記憶功能。
動態ram比靜態ram有優勢，這才會導致動態ram的誕生。動態ram中，單管比多管有優勢，這又導致了單管ram的誕生。
3.三管動態基本單元電路
三管動態基本單元電路中，電容的周邊有三根mos管充當的控制管，最右側還有乙個預充電訊號的mos管。
作為基本單元電路，肯定要有兩條行列選擇線，本質上是位址線（這裡是錯誤的，在動態ram中，沒有看到行列選擇線）。但是三管動態ram的線路和靜態ram的基本單元電路不同的是，讀寫控制線和資料線是同一條線。→這裡的理解是錯誤的，還有些混亂。如果單純地從動態三管基本單元電路來看的話，只有四條線，呈井字型。這四條線分別是讀寫資料線和讀寫控制線，從中我們看不到任何的行列選擇線。晶元都是由基本單元電路的矩陣構成，晶元中肯定要有基本單元電路的行列選擇線，這裡沒有看到，只能說明一點，行列選擇線採用了一種復用的形式。
晶元中每一行的矩陣擁有兩條行選擇線，一條充當讀控制線，一條充當寫控制線。這兩條線每次用一條。復用原理
同樣的，晶元的同一列擁有兩條列選擇線，一條是讀資料線，另一條是寫資料線。這兩條線每次用一條。復用原理
其實靜態中的讀寫資料線和讀寫控制線是間接鏈結在一起的。
在基本單元電路的內部的三個控制管，有兩個是屬於讀寫控制線。
4.三管動態基本單元電路的讀過程
整個基本單元電路中，右側讀的結構比寫要複雜一些。有三個控制管，乙個是預充電訊號，乙個是讀選擇線的控制管，最後乙個是電容的控制管。三管ram的讀是乙個反饋的過程，這和靜態ram的讀不太一樣。我們先充電，給了讀資料線乙個「1」訊號，但這並不是最終的讀輸出訊號，還要依據電容中的儲存資訊產生變動。如果不在讀資料線的輸出端新增乙個反向器，那麼電容中的儲存資訊和輸出資訊是相反的。電容的下方接的是地，當電容有足夠多的電荷時，讀資料上的高電平會被導通到地，放電。
從整個大的晶元結構來看的話，動態ram要比靜態ram多出好幾樣部件，行選擇線多一條，預充電訊號，重新整理放大器，這都是多出來的。
5.三管動態ram基本單元電路的寫過程
無論是讀過程還是寫過程，讀寫選擇線一定是有高電平的。一旦寫操作被執行，那麼寫資料線和電容之間都被導通了。如果寫資料線上是高電平，那麼無論電容中是怎樣的情況，都會給它衝足夠多的電荷，使它為1，如果寫資料線為0，那麼電容就通過控制管放電至0.
6.單管動態基本單元電路結構
整體結構過於簡單，只有兩條線，一條充當控制線，另一條充當資料線，乙個mos控制管，乙個電容。
7.單管動態基本單元電路的功能
通過電容的充放電來讀或者寫。
簡單分析下動態單管基本單元電路的讀寫過程，水平的是資料線，垂直的位線是控制線。兩種控制線復用，兩種資料線復用。這就是整合度提高的原因。具體系統分辨出位線何時充當讀控制線，何時充當寫控制線，我們還不清楚，但是不影響我們理解這個讀寫的機制。位線顯示為讀控制時，電容和資料線導通，電容中有電荷時，資料線有電流通過，讀出訊號1。電容中無電荷時，資料線中沒有電流通過，讀出資料為0。寫的過程更為簡單，無論是三管還是單管，寫過程普遍比較簡單。位線顯示為寫控制時，資料線上有電荷，那麼電容就不停地充電，電容儲存的資訊就為1。資料線上沒有電荷，那麼電容中也就不會存在電荷，寫入的資訊則為0.
舉例來說明三管動態晶元和單管動態晶元
三管動態晶元和靜態ram晶元有很大的不同。
我們回想一下之前靜態晶元的整個工作流程，除了儲存矩陣，行列選擇線，讀取控制器和讀寫控制線，片選線。在這個體系中，每一行儲存矩陣只有一條行選擇線聯通，而動態ram三管晶元則是兩個行選擇線，這兩條線還充當讀或者寫選擇線的作用（既充當行選擇的作用，也充當控制線的作用），靜態晶元列選擇線在每一列中是兩條位線，這兩條位線也擔當著讀或寫資料線的間接通路，不是讀寫資料線，資料線在讀寫控制器上接著。但是動態三管晶元的兩條列選擇線或者說位線，則就是讀或寫資料線。還有一點不同是，在動態晶元中，每一列的下面都有乙個重新整理方法器，這是由於動態儲存的原理決定的。
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