假如metal是為了傳輸電流，則主要需要從解決和減小它的寄生電阻、寄生電容方面多做考慮。寄生電感一般忽略，高頻電路除外。這主要從兩個方面分析解決：
如果所用金屬線，主要是流過電流（如電流鏡mos 管的漏極連線、功率mos管的漏極等）。在這種情況下金屬連線的寄生電阻越小越好，此時需要金屬導線盡可能的寬，以減少寄生電阻，降低導線壓降ir。
如果所用金屬線，是用於高頻訊號，如clock 等，金屬連線不能太寬，否則寄生電容過大，影響頻率。此時訊號還應加shield 訊號線。
其他低頻控制訊號，如enable 、able 等訊號，這些訊號通常接mos 管的柵極，流過的電流很小，這些金屬連線寬窄（寄生電容、寄生電阻）不是很重要，不需要過多考慮。
在考慮金屬線周圍環境的前提下
對於走大電流的訊號線，從電路方面越寬越好，但從版圖方面很寬的金屬線由於受到工藝、物理條件等的制約會受到限制。過寬的金屬線，由於高溫、應力等影響，會翹起變形甚至折斷。所以很寬的金屬線需要打slot，slot 的尺寸因各個工藝廠的工藝不同而有區別。
另外，由於趨膚效應，電流走金屬表面和邊緣，金屬線太寬也不好，這樣金屬的線上電流分布不均勻。電流很大時應採取兩種方式排布金屬線：同層金屬線併聯（類似很寬金屬線打了slot）；不同金屬線併聯，過孔要盡可能多打，節省面積。
不同層金屬導線的連線，要盡可能打更多的通孔via，以減少寄生電阻。過孔尺寸和個數最少的情況因電路和工藝而定。
越靠近aa（有源區）的金屬例如m0，盡量不要從上面經過mos 管、敏感電阻等器件。因為在金屬線的工藝後期處理中（高溫濺射、刻蝕、退火等）會影響這些器件的效能。盡可能換用更高層的金屬線。
另外：有些電路中專門需要用金屬線做電阻的，寬度和長度需要單獨考慮。
原因無非是電路要求電流的承載能力要達到很大。常見的地方如：電源線、功率開關管上連線、晶元的地線等，這種線會走的很寬。如果我們直接用很寬的metal 線，後果是，隨著溫度的公升高，大塊的金屬中間會拱起來（熱脹冷縮），這樣會破壞絕緣層，損壞晶元。久而久之，即使運氣好，晶元沒有被損壞，運氣不好的，這根金屬很大可能會斷掉，斷掉的後果大家都懂的——直接斷路。
大家都知道要打slot（槽，有slot rule,品字形，順著電流開），slot 打了之後，即便是金屬斷掉了，也不會全斷。一種方法，是把金屬重疊著走，這個當然需要足夠的金屬層，就是採取不同金屬層的併聯。另一種方法，如果是只用一層金屬的話，可以直接將寬金屬線拆分成多條細金屬併排（最細的金屬線要滿足design rule），類似於金屬併聯，其實也可以理解成metal bus（匯流排）。
還有一點，有人提到很寬的金屬會造成金屬密度過大，影響金屬覆蓋率。金屬的覆蓋比例metal ratio：30%-55%之間為最佳（根據所用工藝而言），比例偏離的話，鋁腐蝕就不好，不乾淨或過腐蝕。不知道大家在交gds 的時候有沒有修改這個drc 錯誤，這個會直接影響產品良率，我們都是修改ok 之後交的，所以應該注意這個問題。
一般規則上都有明確說明，比如靜態電流經驗值大概1.5ma/um（有的是1ma/um，根據具體工藝而言），但高溫、大電流、台階等情況下會有所下降，大概1ma/um（有的是0.6-0.8ma/um，根據具體工藝而言）。這裡指的是通常情況。靜態電流密度的大小主要受電遷移、趨膚效應、金屬材質等問題的影響。
而動態電流大小對應的寬度一般規則上也會寫明，通常會以能量、峰峰值、均值等來衡量，動態電流密度的大小也主要受電遷移、趨膚效應、金屬材質等問題的影響。
對應不同的情況需要滿足不同的約束。在滿足電流的約束條件後，就需要考慮訊號頻率的因素了，頻率越高的訊號走線適當要細，因為寄生電容影響較大。
如果需要流過很大電流，則需要很寬的金屬，一般工藝規則都會規定最小與最大的金屬寬度，最大的金屬寬度是要防止電流不均勻導致電遷移、趨膚效應以及發熱不均勻的問題，當然還有熱脹冷縮的問題。
此外，過寬的金屬會使得中間部分略有下沉導致平坦化的問題，所以需要在過寬金屬上打slot。注意，工藝規定的最大線寬有些 rule 不會直接寫出來，而是通過slot的規則隱含其中。比如規定很寬的金屬在裡面超過多少間距要打slot，這裡規定的間距其實就是最大的金屬線寬，另外有些工藝規則會規定不同層的金屬有不同的最大寬度。
metal太寬，會導致電流密度不好，會導致電遷移、趨膚效應等現象，會降低可靠性和影響良率。
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