記憶體初始化

2022-03-14 05:07:16 字數 2097 閱讀 1923

電容的分類:

dram:基本原件是電容,需要定時重新整理,儲存速度較慢

dram又分為:

sram(

同步動態隨機儲存器

synchronous dynamic random access memory)

ddr(雙倍速率同步動態隨機儲存器

double data rate sdram)

ddr2(在

ddr的基礎上改進)

sram:是一種靜止訪問功能的記憶體,不需要定時重新整理,儲存速度快,缺點是功耗大,成本高,常用作儲存容量不高但是儲存速度較快的地方(stepping stone:墊腳石

)記憶體的內部結構是乙個如同乙個資料**,稱為結構表

一般乙個記憶體單元中會被

劃分為4個

l-bank

2440中有

27根位址線,可以定址

128m

的空間。

2440中將

bank7

和bank6

做記憶體總共

64m的記憶體空間

為了定址更大的空間,2440提供了片選訊號,總共有

8 個管腳提供

8個片選訊號

記憶體初始化:(cpu對記憶體的訪問時通過儲存控制間接訪問的)

bwscon:0x48000000(設定外接儲存器的匯流排寬度和等待狀態)

總共32位,分成

8組,每組

4位,分別控制8個

bank

stx:

0:沒有用

ub/lb

1:用ub/b

注意:ub/lb pin腳,用來分別訪問資料的高低位元組

wsx:

匯流排等待使能,一般是不讓其等待的

dwx:

資料線寬度

bankconn:總共是有

6個,其控制字不變,保持其預設值

ox00000700

bankcon6:(需要分別設定

,16位)

bankcon7:(需要分別設定,

16位)

mt[16:15]:決定儲存器型別

trcd[3:2]:決定是行列訊號的轉化時間,晶元手冊的時序圖是兩個時鐘週期

scan[1:0]:決定列的數量,檢視記憶體手冊是

9refresh:0x48000024(

23位):

refen[23]:決定儲存器是否重新整理,

1=重新整理

trefmd[22]:決定儲存器重新整理模式,

0=自動重新整理

trp[21:20]:決定列重新整理頻率, 根據記憶體手冊時序邏輯圖,

00=兩個時鐘週期

tsrc[19:18]:決定行重新整理頻率,

11=7

個時鐘週期

refresh counter[10:0] :決定

sdram

重新整理的時間(這裡和前面的列和行重新整理不一樣),根據計計算公式 取十進位制數

1269

banksize:0x48000028(8位):

burst_en[7]:使能

arm核心突發模式,一次處理器可以批量的訪問記憶體資料,

1=使用

scke_en[5]:是否使用節電模式,

1=使用

sclk_en[4]:序列時鐘使用時啟動,

1=使用

bk76map[2:0]:定義記憶體大小,

000=32/32

注意:2440的記憶體初始化總共需要初始化

13個控制暫存器

mrsb6/7:0x4800002c/0x48000030:記憶體模式(

12位)

cl[6:4]:

cas latency

固定記憶體定址儲存持續時間,跟在列

/行定址後持續的時間,

011=

檢視晶元手冊時序時間表。

6410儲存器空間:

32位位址線,最大定址

4g記憶體空間,一般高

2g空間是,低

2g 空間。

其中低2g儲存空間是又被分為:

外設儲存空間

和主儲存空間

主儲存空間又被分為:

動態儲存區

保留區內部儲存區

映象儲存區

靜態儲存區

記憶體初始化過程

1,物理記憶體資訊的獲取 0x15中斷,功能號 e820h,e801h,e88h 見檔案 linux arch i386 boot setup.s 執行完上面的 後,記憶體資訊被分為多條資訊放在e820map位置處,每個資訊條目長20位元組,包含乙個記憶體區間的資訊,條目數放在e820nr處。即實際...

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