儲存器是由簡單的電子器件例如pmos管、nmos管進行組合形成邏輯上的與非或門，之後在此基礎上，形成組合邏輯例如r-s鎖存器和門控d鎖存器，進而高度整合化，形成我們所暫存器、記憶體等用於儲存資訊的複雜結構。·
儲存器分為易失性儲存器和非易失性儲存器。易失性儲存器是指裝置掉電，儲存的資訊會消失，但其優點是讀寫速度快；而非易失性儲存器具有儲存時間長，掉電資料不會消失的，相對的其讀寫速度緩慢。儲存器分類如圖一所示：
圖一 儲存器分類
對cpu而言，資料讀寫速度由高到低為：片內暫存器，ram、flash和機械硬碟。易失性儲存器主要指ram,根據ram的儲存機制，又分為dram（動態隨機儲存器）和 sram（靜態隨機儲存器）。其中dram是通過電容的充放電來重新整理儲存資料的，而sram是通過鎖存器來儲存資料。由於其組成元器件的區別,dram和sram具有如下特性：
特性dram
sram
訪問速度
較慢較快
整合度較高
較低生產成本
較低較高
是否需要重新整理是否
常見的儲存器依據其是否有時鐘訊號分為同步和非同步儲存器，dram通常採用同步方式，即sdram（synchronous dram），普通的sdram在時鐘上公升沿同步資料。而在時鐘上公升沿和下降沿均同步資料，且依據時鐘訊號頻率的不同，出現了ddrⅱ sdram、ddrⅲ sdram等。通常我們電腦的記憶體條通常為ddrⅲ sdram。
rom和flash均為半導體儲存器，而機械磁碟，光碟均是磁結構構成。rom為唯讀儲存器，其內資料是出廠時已經寫好，不允許進行擦寫操作。個人理解，其內儲存計算機啟動的boot程式、微控制器引導程式資料等，rom分類如下。
種類特性
mask rom
出廠時固化，不可修改
otprom
使用者可寫入一次，之後不可修改
eprom
可反覆擦寫，需要使用紫外線擦除
eeprom
可反覆擦寫，電擦寫
flash儲存器又稱為快閃儲存器，且可重複擦除，容量比一般的rom大很多。根據儲存單元電路不同，其分為nor flash和nand flash。個人理解，基於nor flash 壞塊少和以位元組讀寫的特點，晶元片內flash以及通過ebi（外部匯流排介面單元）擴充套件的flash塊，大多採用nor flash。
特性nor flash
nand flash
同容量儲存器成本
較貴較便宜
整合度較低
較高儲存型別
隨機儲存
連續儲存
擦除單元
以「扇區/塊」擦除
以「扇區/塊」擦除
讀寫單元
基於位元組讀寫
基於塊讀寫
讀取速度
較高較低
寫入速度
較低較高
壞塊較少
較多1 我們通常所說的手機記憶體，計算機記憶體條，均指掉電資料消失的ram儲存器；
2 計算機主機板的固態硬碟和移動儲存介質（u盤，行動硬碟（大多用來存遊戲、電影等）），均指nand flash結構。
3 sata介面的機械硬碟，通過磁頭的轉動來讀取資料，然後讀入記憶體單元（ram）以通過cpu來處理，其磁碟的讀寫速度遠遠不及cpu處理資料速度。
談一談對暫存器的理解，暫存器也用來儲存資料的，無論是通用暫存器還是特殊暫存器，無論是cpu核心的暫存器還是片上外設暫存器，其存在的目的是加快cpu對指令和資料的處理速度，而就不同cpu核心所對應的isa結構中定址模式，必將牽扯到暫存器結構。
以上為個人理解，僅供參考，如有錯誤和補充，請指正，謝謝。
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