兩端電壓指的是電容一邊相對另一邊的電壓，我們知道電壓本身就是個參考值（一般認定參考gnd，認定gnd點平為0v）。
不能突變則指電容兩端電壓變化時，必然需要1個大於0s的時間。根據電容的公式i=c*du/dt，得知，du/dt=i/c，故電容兩端電壓從0公升到vdd時，取決於電流和電容的比值。容值一定時，電流越大，電壓上公升的越快。電流一定時，容值越小，電壓上公升的越快。
簡單的自舉電容模型？
假如，只有個6v的電源，但是我們想輸出12v的電壓，相對簡單的方法就是應用自舉電路，如下圖中的電路，（認為器件均為理想模型），二極體d1和電容c1就構建了自舉電路。
1.a狀態為預設狀態，此時開關a閉合，開關b斷開，q1導通，c1負極與地導通，電流從電源vdd出發，通過d1，經過c1，經過q1，再流回電源vdd。達到穩態後，電容上端對地電壓為6v，下端對地電壓為0v。
2.當開關b閉合，開關a斷開，q1截止，電容下端電壓與電源正極直連，此時電容下端對地電壓等於電源正極對地電壓，為6v。由於電容兩端電壓不能突變，電容上端相對電容下端，電壓為6v，電容下端相對地，電壓為6v。所以電容下端相對地，電壓成了12v。由於d1的反向截止作用，使得電容上端對地電壓可以保持在12v。
實際的模型中，由於反向二極體和mos管均存在微弱的漏電，自舉電路需要不斷切換狀態來對自舉電容充放電，來保證電壓被長時間抬起來。且自舉電路的供電能力取決於自舉電容的大小。
自舉電路的經典應用
在很多buck或者boost電源晶元的手冊中，我們都能看到自舉電容的應用。我們開啟ti廠家的bq25895充電晶元（內含buck）的器件手冊，如下，紅色框框中47nf電容即為自舉電容。
繼續往後看，開啟bq25895的內部框圖，就可以看到晶元內部的自舉電路設計。如圖中，假設vbus為5v，vregn為電源輸出，輸出電壓小於5v，q2和q3導通條件為vgs > 4v。
首先你要明白，高電壓很容易產生低電壓（比如電阻分壓），但是低電壓產生高電壓就需要額外的措施。所以下圖中，5v的vbus輸入可以很容易產生低於5v的vregn輸出。
那麼在下圖中，我們可以看到，對於q3而言，s極接地，g極電壓直接由vregn驅動，vregn可以輕易產生小於5v的電壓在q3的g極和s極，所以q3很容易導通。
而對於q2而言，由於s極未接地，若要保證q2導通，則要求q2的g極電壓必須比s極電壓高4v，才能滿足q2 vgs>4v的條件。若s極電壓為0v，vregn可以輕鬆導通。若s極為5v，則g極電壓必須為9v，而vregn最大不超過5v，怎麼辦呢？
自舉電路的作用就彰顯出來了。
還是如上圖，首先vregn產生小於5v的電壓，讓q3導通，同時vregn通過二極體d，自舉電容c，以及導通的q3構成對地迴路，電容c開始充電，充電完成後，電容兩端電壓幾乎等於vregn（忽略二極體d的導通壓降），由於電容c併聯在q2的g極和s極上，對於q2來講，vgs兩端電壓同樣可以達到vregn，從而使得q2可以導通。
自舉電路介紹
自舉電路也叫公升壓電路，利用自舉公升壓二極體,自舉公升壓電容等電子元件，使電容放電電壓和電源電壓疊加，從而使電壓公升高 有的電路公升高的電壓能達到數倍電源電壓。公升壓電路原理 舉個簡單的例子 有乙個12v的電路，電路中有乙個場效電晶體需要15v的驅動電壓，這個電壓怎麼弄出來？就是用自舉。通常用乙個電...
自舉電容的作用
圖1是乙個典型的otl電路，電路中的c1稱為自舉電容。它在電路中作用如何？為分析方便將圖1簡畫成圖2。圖2的電路中是沒有c1的情況，在功放中各級的放大管總是考慮充分利用的，即在輸入訊號u1的作用下，放大管工作在接近飽和與截止。此時從充分利用輸出管的角度出發。希望bg1的集電極飽和此時vce1 0.5...
什麼是自舉電路
mos管自舉電路工作原理及公升壓自舉電路結構圖 自舉電路也叫公升壓電路，是利用自舉公升壓二極體，自舉公升壓電容等電子元件，使電容放電電壓和電源電壓疊加，從而使電壓公升高 有的電路公升高的電壓能達到數倍電源電壓。舉個簡單的例子 有乙個12v的電路，電路中有乙個場效電晶體需要15v的驅動電壓，這個電壓怎...