微控制器：mke06z
環境：kds（kinetis design studio)
目的：使用片內的flash儲存若干資料，實現讀寫。
kds的pe中有兩個關於內部flash的元件：flash_ldd和intflash，其中後者高階點，可以選擇後者。
然後雙擊元件，對其進行配置。可能需要配置flash_ldd元件中的頻率，這裡配置為12m。
有三種寫的方法，可以選擇後兩者。第一種不進行擦除，需要手動先擦除。
擦除後為0xff。
重要的選擇我們自己使用的flash的位址，系統預設的程式段放在位址從0x410–0x1ffff的範圍內，其實真正的程式佔不滿，這裡把m_text的size修改為0x1f000，那麼供我們使用的範圍為0x1f410~0x1ffff，大小為3055個位元組。（雙擊cpu元件，選擇build options）
也可以通過生成的.map檔案（在debug資料夾中）檢視程式和變數的分布情況。
當然也可以不修改，修改了之後pe在生成**時，應該會在我們設定好的範圍內生成，這樣更加安全點。
測試**和結果如下。
上面的8個函式，有的可能需要先使能再使用。點開左邊intflash元件，找到相應的函式，右鍵->toggle enable/disable，然後重新生成**，編譯即可。
後面的setbolckflash有時會漏掉後面的兩個位元組或是只儲存了前8個位元組，所以，最好用前面的3種方法，計算好了位址，然後可以一一對應的儲存。
最後可以在除錯暫停後，開啟memery（window選單欄下），檢視實際flash的儲存情況，如上圖所示。
完。