晶圓測試是晶元封裝工藝中的第一道工序，通過探針接觸晶圓上被測晶元焊點，以電性測試方法篩選出良品的晶元（kgd：known good die），同時標記不良品。晶圓測試最大的意義在於以較低的成本將不良晶元篩選出來，從而節約封裝費用。
探針在接觸焊點的同時，受到機台壓力的作用會扎入焊點表面，形成探針痕跡。受到針壓、針尖直徑、針尖平整度、測試機台精密度和加速度等因素的影響，不同編號探針對所扎入焊點的痕跡深度可能各不相同。一般而言，針痕深度的理想區間值為4-6微公尺。針痕過淺將導致探針與晶元接觸不良，測試結果不準確，良品率低，還可能導致重複測試，造成晶元損壞和測試成本增加；針痕過深可能扎穿焊點，影響後續封裝打線或者晶元直接報廢。
探針痕跡主要分為兩種，懸臂型探針卡產生的長橢圓型針痕，以及垂直型探針卡產生的圓形針痕。探針痕跡面積小，深度淺，且表面光滑反光，需採用高精度的光學測量方案。
1.探針痕跡三維表面形貌
2.探針痕跡深度
1.固定晶圓樣品至focalstation測量臺，並進行機械原點歸位；
2.在fs軟體中設定掃瞄引數，開始掃瞄並等待任務完成；3.資料預處理，包含校平、光學降噪等；
4.分析與報告；
將晶圓焊點測量資料匯入至分析軟體，採用3d檢視可以檢視探針痕跡的完整三維表面形貌。
採用圖形分析工具可以對針痕的凹形區域進行整體的分析，計算出針痕的深度為4.07微公尺。