器件特性
大電容濾去低頻交流低頻成分。小電容濾去高頻交流成分，
選擇高頻濾波電容的主要依據是頻率特性，即阻抗-頻率曲線。
0.1uf瓷介電容（x7r）的諧振頻率（阻抗曲線「谷」點頻率）大約為10mhz多，表貼的大約為16mhz，而且阻抗也比較低（1歐姆以下量級），
這對在大多數低頻電路都是比較合適的。再大的容量，諧振頻率偏低，再小的容量，諧振阻抗偏大。
非技術因素
電子器件的乙個重要選用原則就是盡量「隨大流」，大家都用的，供貨容易，成本也低。
經驗法則
這是經過實驗的，去耦電容大都選擇0.1uf。
對於同乙個電路來說。
旁路（bypass）電容是把輸入訊號中的高頻雜訊作為濾除物件，把前級攜帶的高頻雜波濾除。
去耦（decoupling，也稱退耦）電容是把輸出訊號的干擾作為濾除物件，相當於濾紋波。
在供電電源和地之間也經常連線去耦電容，它有三個方面的作用：
的蓄能電容；
二是濾除該器件產生的高頻雜訊，切斷其通過供電迴路進行傳播的通路；
三是防止電源攜帶的雜訊對電路構成干擾。
數位電路
中，當電路從乙個狀態轉換為另一種狀態時，就會在電源線上產生乙個很大的尖峰電流，形成瞬變的雜訊電壓，會影響前級的正常工作。這就是耦合。
對於雜訊能力弱、關斷時電流變化大的器件和rom
、ram
型器件，應在晶元的電源線（vcc）和地線（gnd）間直接接入去耦電容。
數位電路中典型的去耦電容值是0.1µf。這個電容的分布電感的典型值是5µh。
0.1µf的去耦電容有5µh的分布電感，它的並行共振頻率大約在7mhz左右，
也就是說，對於10mhz以 下的雜訊有較好的去耦效果，對40mhz以上的雜訊幾乎不起作用。
1µf、10µf的電容，並行共振頻率在20mhz以上，去除高頻雜訊的效果要好一些。
每10片左右積體電路要加一片充放電電容，或1個蓄能電容，可選10µf左右。
最好不用電解電容，電解電容是兩層薄膜卷起來的，這種卷起來的結構在高頻時表現為電感。
或聚碳酸酯電容。去耦電容的選用並不嚴格，可按c=1/f，即10mhz取0.1µf，100mhz取0.01µ。
為什麼選用自增量作為主鍵索引
myisam引擎使用b tree作為索引結構，葉節點的data域存放的是資料記錄的位址。下圖是myisam索引的原理圖 這裡設表一共有三列，假設我們以col1為主鍵，則上圖是乙個myisam表的主索引 primary key 示意。可以看出myisam的索引檔案僅僅儲存資料記錄的位址。在myisam...
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為什麼大電容用於低頻通路,小電容用於高頻電路
般的10pf左右的電容用來濾除高頻的干擾訊號,0.1uf左右的用來濾除低頻的紋波干擾,還 可以起到穩壓的作用 濾波電容具體選擇什麼容值要取決於你pcb上主要的工作頻率和可能對系統造成影響的諧波 選擇。至於個數就不一定了，看你的具體需要了，多加一兩個也挺好的，暫時沒用的可以 先不貼，根據實際的除錯情況...