rom,ram
從字面來看，read only和random access 都是用來修飾memory的，所以都是儲存器，沒有記憶體和外存之分，rom資料一般不變，也不能隨意訪問任意儲存單元，ram資料可變，可隨意訪問任意儲存單元
[1]rom
rom的概念比較模糊，一般的儲存器都是可寫的，只不過程式不想寫(比如安裝作業系統和格式化系統盤要寫同一塊磁碟分割槽，但安裝沒問題，可以寫入，而格式化操作一定失敗),所以就用易失性來判別rom了，一般認為非易失性儲存器是rom，bios晶元一般也採用rom
常用的rom如cd rom,*** rom， 是被寫死的 只能讀 無法修改刪除寫入，還有路由器的rom,就是把韌體系統寫入到指定的乙個rom晶元，rom中所存資料穩定，一旦儲存資料就再也無法將之改變或者刪除，斷電後所存資料也不會消失。其結構簡單，因而常用於儲存各種固化程式和資料。
rom進一步發展出prom,eprom，eeprom
prom： 可程式設計唯讀儲存器
eprom: 可擦除可程式設計唯讀儲存器，eprom需要用紫外線長時間照射才能擦除，使用很不方便。
eeprom: 電可擦除可程式設計唯讀儲存器,不直接參與alu計算
flash(flash eeprom) : 快閃儲存器，快閃，是eeprom的一種，結合了rom和ram優點，不僅具備電子可擦除可編輯（eeprom）的效能，還不會斷電丟失資料同時可以快速讀取資料。lash按扇區（block）操作，而eeprom按照位元組操作，flash的電路結構較簡單，同樣容量佔晶元面積較小，成本自然比eeprom低，因此適合 用於做不需頻繁改寫的程式儲存器。
nor flash: 都是非易失儲存介質,nor flash和普通的記憶體比較像的一點是他們都可以支援隨機訪問，這使它也具有支援xip（execute in place）的特性，可以像普通rom一樣執行程式。這點讓它成為bios等開機就要執行的**的絕佳載體。nor flash 根據與 host 端介面的不同，可以分為 parallel nor flash 和 serial nor flash 兩類。現在幾乎所有的bios和一些機頂盒上都是使用nor flash，它的大小一般在1mb到32mb之間，**昂貴。
parallel nor flash 可以接入到 host 的控制器 上，所儲存的內容可以直接對映到 cpu 位址空間，不需要拷貝到 ram 中即可被 cpu 訪問.
serial nor flash 的成本比 parallel nor flash 低，主要通過 spi 介面與 host 也就是pch相連。
nand flash: 都是非易失儲存介質, 廣泛應用在各種儲存卡，u盤，ssd，emmc等等大容量裝置中。
它的顆粒根據每個儲存單元內儲存位元個數的不同，可以分為 slc（single-level cell）、mlc（multi-level cell） 和 tlc（triple-level cell） 三類。nand flash相對nor flash更可能發生位元翻轉，就必須採用錯誤探測/錯誤更正(edc/ecc)演算法，同時nand flash隨著使用會漸漸產生壞塊；我們在使用nand flash的sd卡上經常使用fat檔案系統
[2]ram
隨機訪問儲存器，儲存單元的內容可按照需要隨機取出或存入，且訪問的速度與儲存單元的位置無關。這種儲存器在斷電時，將丟失其儲存內容，所以主要用於儲存短時間使用的程式。
只要用來儲存程式中的變數，凡是整個程式中，所用到的需要被改寫的量（包括全域性變數、區域性變數、堆疊段等），都儲存在ram中。
sram
static ram，sram速度非常快，是目前讀寫最快的儲存裝置，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如cpu的一級緩衝，二級緩衝。
dram
dynamic ram，我們最常見的記憶體，dram保留資料的時間很短，速度也比sram慢，不過它還是比任何的rom都要快，但從**上來說dram相比sram要便宜很多，計算機記憶體就是dram的。ram**相比rom和flash要高。
sdram
(synchronous dynamic random access memory), 是為把dram操作同步到計算機系統其餘部分，sdram增加了時鐘訊號和記憶體命令的概念。記憶體命令的型別取決於sdram 時鐘上公升沿上的ce#, ras#,cas# 和we# 訊號狀態。產品資料根據ce#, ras#,cas# 和we# 訊號狀態，以**形式描述記憶體命令。
ddr-sdram
通過提高時鐘速率、突發資料及每個時鐘週期傳送兩個資料位(參見表1)，ddr (雙倍資料速率) sdram 提高了記憶體資料速率效能。
ddr2 sdram: ddr2sdram時鐘速率更高，從而提高了記憶體資料速率
ddr3 sdram: ddr3 sdram 是一種效能演進版本，增強了sdram技術，它從800 mb/s開始，這是大多數ddr2 sdram支援的最高資料速率。
ddr4 sdram:
gddr dram
（graphics double data rate） 圖形卡專用儲存技術, 目前規定的變種有四個：gddr2、gddr3、gddr4 和gddr5, 其降低了功率要求，以簡化冷卻，提供更高效能的儲存器模組。
lpddr sdram
（low power double data rate sdram）lpddr 採用166 mhz 時鐘速率，在要求低功耗的可攜式消費電子中正越來越流行。lpddr2 改善了能源效率，其工作電壓最低1.2v，時鐘速度為100 -533 mhz。
fram:
ferroelectric ram,鐵電儲存器,它將動態隨機訪問儲存器（dram）的快速讀取和寫入訪問
mram：
（magnetoresistive random access memory） 非易失性(non-volatile)的磁性隨機儲存器，它擁有靜態隨機儲存器（sram）的高速讀取寫入能力，以及動態隨機儲存器（dram）的高整合度
rram：
resistive random access memory，阻抗性隨機訪問儲存器，
pcram:
相變儲存器，pcram又稱pcm、oum（ovonic unifiedmemory）和 cram（chalcogenide random accessmemory),pcarm具有良好的非易失性
sram
dram
sdram
gddr5
lpddr5
<1>ram 、rom都是資料儲存器。
<2>ram 是隨機訪問儲存器，它的特點是易揮發性，即掉電失憶。
<3>rom 通常指固化儲存器(一次寫入，反覆讀取)，它的特點與ram 相反。
<4>rom又分一次性固化、光擦除和電擦除重寫兩種型別。
<5>常規rom用來儲存固化程式
<6>常規ram用來儲存資料
<7>flash rom比普通的rom讀寫速度快，擦寫方便，一般用來儲存使用者程式和需要永久儲存的資料。
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常見儲存器ROM RAM和FLASH介紹
常見儲存器rom ram和flash介紹 最近因為在找實習工作,做了一些大公司的硬體筆試題,發現很多公司都有對儲存器的考察,從來沒有系統的整理過儲存器的種類，是時候來一波整理了 以下主要講了 ram rom和flash三大類。ram包括 sram dram sdram ddr sdram ddr2 ...
儲存器的整體概述（記憶體 外存 ROM RAM）
感覺儲存器的知識好多似的，沒有總結過，老是忘記，現在寫個筆記吧。按儲存器的讀寫功能可以分為唯讀儲存器和隨機儲存器 ram 隨機儲存器，可以隨時進行讀寫操作，速度很快，掉電以後資料會丟失，比如記憶體條 sram sdram ddr都是ram。ram一般用來儲存程式資料 中間結果。ram 速度快，可以直...