記憶體效能引數中，主要關注的兩個引數乙個是記憶體時序，另乙個是頻率，可以稍微誇張點的說，內行看時序，外行看頻率，倒不是說這兩個引數哪個更重要，而是相對於記憶體頻率，記憶體時序更難理解一些，更深入工作原理一些，今天就來一起看一下記憶體時序的小知識吧。
記憶體時序是描述記憶體條效能的一種引數，一般儲存在記憶體條的spd中。一般數字「a-b-c-d」分別對應的引數是「cl-trcd-trp-tras」，它們的含義依次為：
cas latency（簡稱cl值）記憶體cas延遲時間，它是記憶體的重要引數之一，某些牌子的記憶體會把cl值印在記憶體條的標籤上;
ras－to－cas delay（trcd），記憶體行位址傳輸到列位址的延遲時間;
ras precharge delay（trp），記憶體行位址選通脈衝預充電時間;
row active delay（tras），記憶體行位址選通延遲。
這是購買記憶體最需要關注的4項時序調節，在大部分主機板的bios中可以設定。
需要了解記憶體條時序的朋友注意了，我們現在就來講講記憶體條時序到底對記憶體條的效能有何影響。
1.cl：列定址所需的時鐘週期（表示延遲的長短）
確實是同頻率下，cl值越小記憶體條效能越好。從ddr1-4隨著記憶體條的頻率越來越高，cl值也越來越大，但是其真實的cl延遲時間幾乎沒有什麼變化。這說明並不是cl值越大，記憶體條的cl延遲就越大，記憶體條就越差。從ddr1-4 cl值越來越大，相反說明cl越大，能上去的頻率越高。
ddr-400 3-3-3-8：3*2/400=15 ns
ddr2-800 6-6-6-18：6*2/800=15 ns
ddr3-1333 9-9-9-24：9*2/1333=13.5 ns
ddr4-2133 15-15-15-35：15*2/2133=14 ns
我們再來算算crucial記憶體條的cl延遲時間（樣本選用8g記憶體條）：
根據上面的計算，可以看出其實cl延遲時間差距不大，之所以每代產品效能比上代要好，是因為頻率的提高，也就是說cl值接近時，記憶體頻率越高效能越好，而在進行超頻時，如果可以調高cl，就可以獲得更高的頻率。
2.trcd：行定址和列定址時鐘週期的差值。
trcd值對記憶體最大頻率影響最大。記憶體條想要上到乙個高的頻率，而如果不能加大電壓和放寬cl值，那麼就只能把trcd值增大。現在的ddr4一般的1.2v，想要cl值好看，還想要記憶體條能超頻到更高，那就加大trcd咯，還想要燈光效果，那就把時序統統的加大。所以trcd大不代表記憶體條差，相反代表記憶體條可以超到乙個很高的頻率。
雖然trp的影響會隨著頻繁操作乙個bank而加大，但是它的影響也會被bank交叉操作和命令調配所削弱。放寬trp有利於提高行址啟用、關閉的命中率，正確率。放寬trp可讓記憶體條的相容性更好。
4.tras：對某行的資料進行儲存時，從操作開始到定址結束需要的總時間週期。
此操作並不會頻繁發生，只有在記憶體空閒或開始新乙個任務的時候才使用它。tras值太小有可能導致資料錯誤或丟失，太大的值則會影響記憶體效能。如果記憶體條負荷較大，一般可以稍微放寬tras值。
不知道大家有沒有注意，凡是oc記憶體條（超頻厲害的記憶體條），燈條，它們的trcd、trp、tras一般都比較大。要超頻厲害，要燈光效果，還要保持很好的相容性，必須適當的調節時序。
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