第一篇文章主要介紹了一些概念(ch ce lun plan block page cell)，這些概念也是行業內的統一的。nand flash的主要作用就是儲存,儲存就存在cell(有slc、tlc的cell)中，拿slc來說，乙個cell就存乙個bit，那麼大家可以想象以計算機的龐大資料量來講，乙個作業系統就算乙個g（1024m=8589934592bit）,那都已經超過乙個32位unsigned int型的範圍了，所以計算機也不會傻到乙個bit乙個bit去計算位置，然後存起來。就想你家的公尺倉庫一樣，你也不會一粒一粒去存，都是一袋一袋去存，這也是分化打包的方法。我覺得nand 儲存的原理也差不多。言歸正傳，下面講一下nand flash的data sheet中的一些資訊:
nand 是個儲存的器件，對於使用者來說要考慮的就是，我把資料存進去，然後能完好的拿出來就行，存進去就需要考慮存到**(訪問位址)。
從data sheet來看第一看這個快閃儲存器的組織架構:
1.得了解你手上的nand flash有多大，能存多少資料：以下面乙個lun的tlc mode為例:
乙個lun有4個plan,乙個plan有552個block，乙個block有2112個page，乙個page能存16384+1968byte個資料
2.了解nand的大小之後，需要明白，這些儲存的地方的位址格式，需要怎麼訪問:
之前說到過行位址和列位址的概念：行位址由page號，plan號block號，lun號組成，列位址就是乙個page中的位置偏移(值的範圍就是0~16384+1968byte)。
乙個unsigned int的32位的數：
3.nand flash 內部單元結構圖
由這樣幾個單元組成：i/o 控制單元、邏輯控制單元、位址暫存器、狀態暫存器和命令暫存器，以及 nand flash 儲存陣列構成。在對 flash 操作的過程中，位址、資料、命令在乙個時序圖中的不同時間內使用同乙個 i/o，都由 i/o 控制單元控制。首先，主控傳送的命令到達 i/o 控制單元，然後將命令放到命令暫存器裡鎖存，最後傳輸給邏輯控制單元進行分析，產生控制 flash 儲存陣列的各種訊號。位址暫存器將 i/o 傳來的位址，分別通過行列解碼器轉變為行列位址。而狀態暫存器是將邏輯控制單元對 flash 操作後的時序狀態傳達到 i/o 控制單元。
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