1、 ddrphy zq calib 校準異常，rx calib校準不通過。
解決方法：檢查pcb設計，糾正zq電阻實際連線與ip手冊要求不一致問題。
2、 ddr 基本寫讀測試512mb以上資料量時會出現錯誤，且出錯的位址空間隨機。
解決方法：檢查pcb板設計，發現多個負載掛在乙個電源上導致ddr供電不足，飛線輸入單獨電源後解決。
3、 ddr3/4提速到1866和2133時不能正常訪問，基本的寫讀資料都會出錯。
解決方法：當速率大於1600後需要進行視窗對齊操作，通過逐個掃瞄dq 的per-bit-deskew視窗，進行每個dq的視窗中心對齊，補償pcb走線延時，使得所有dq相對dqs最大地滿足setup和hold。
8、 兩層板ddr3-1866在gpu和cpu負載較大的場景下出現拷機不穩定。
解決辦法：gpu和cpu負載較大的情景下掃瞄ddr的dqs左右餘量，發現在初始化訓練好的置中視窗，在負載較大的工作情形下dq的有效視窗被壓縮且偏右。在訓練完成後再配置dqs deskew補償dq視窗的偏離。dqs的占空比較差，通過調整dqs-dqsb=2的占空比，可增加dq的per-bit-deskew視窗。
9、 同樣的pcb設計圖，換生產廠家後部分板子出現概率性不穩定。
解決：檢視生產廠家的菲林製作，調寬了訊號走線的線寬，導致間距減小，串擾增大。
10、換廠商顆粒後開關機出現概率性write leveling 異常。
解決：phy在做write leveling 時會傳送mr1配置，改命令對應的address是乙個週期有效，正常讀寫是2個週期以上，在正常讀寫訓練出來穩定的address 延時在單週期時並不穩定。在正常讀寫情況下訓練出adress的deskew最大值邊界，然後減250ps左右作為單週期的大致餘量。
11、開關機不穩定
解決：ac 的per-bit-deskew值配置需要在初始化ddr顆粒前配好，否則顆粒接收到的初始化命令可能會不穩定
12、mt和ny的顆粒啟動和讀寫操作正常，但換成華邦顆粒後出現write leveling正常，rxcalib所有位元組出錯，降低頻率沒有改善。測量波形發現讀命令發出後，dqs沒有返回。
解決：聯絡顆粒廠商，檢查power on時,reset high到cke high是否meet spec(>500us)。鎂光的晶元reset和cke不滿足這一條也可以，但華邦的會異常。滿足後正常啟動。
13.lpddr4 無法跑到最高速率4266
----一般主要是電源紋波不滿足，需要新增片上電容，封裝電容，以及板級電容優化。
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