目前針對不同的應用市場，sram產品的技術發展已經呈現出了兩大趨勢：一是向高效能通訊網路所需的高速器件發展，由於讀寫速度快，sram儲存器被用作計算機中的快取記憶體，提高它的讀寫速度對於充分發揮微處理器的優勢，改善處理器效能有著積極的意義。另乙個是降低功耗，以適應蓬勃發展的可攜式應用市場。英尚微介紹關於sram讀寫中「寫操作」分析。
sram寫操作分析
寫操作與讀操作正好相反，它要使儲存單元的狀態按照寫入的資料進行相應的翻轉。如圖1 表示了六管單元的寫操作示意圖。位線bit_在寫操作開始時被驅動到低電平。在字線開啟傳輸管後，n3 與p1 管在bit 與高電平vdd 之間形成分壓。為了寫操作的成功，也就是下拉節點a 至足夠的低電平，啟動反相器p2/n2放大新資料，傳輸管n3 應該比p1 管有更好的導通性。一旦反相器p2/n2 開始放大節點a 上的低電壓，也就是節點a 上的下拉管n2 被關閉，上拉管p2 被開啟，節點b 的電壓將上公升，反相器p1/n1 也將被啟動，節點a 在正反饋作用下進一步向gnd 轉化，寫操作被加速。
圖1 六管單元的寫操作
在六管單元的寫操作中，外部電路驅動兩個互補的訊號到位線bit 和bit_上，字線驅動器驅動字線row 到高電平，位線訊號經兩個傳輸管寫入儲存節點。如圖1 所示的正是向存有「1」的單元寫「0」的情況，也就是把a 點的電平由vdd 下拉至gnd。
SRAM是什麼儲存器
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