容量和**是影響快閃儲存器儲存普及的最主要原因，隨著快閃儲存器技術的突破，未來快閃儲存器儲存將會成為主流，這是不爭的事實。但是，想要全面替代hdd，並不容易。
最近，techspot發布訊息稱，ssd將於兩年內突破hdd的容量/**「臨界點」。文章指出，information week的乙份新報告，隨著3d nand技術的發展，固態硬碟不僅容量會增加、其**還會「直線下降」。固態硬碟(ssd)的容量將於2023年趕上機械硬碟(hdd)的水平，而首款30tb的ssd產品亦有望於2023年面世。
對於眾多企業來講，如果真像techspot**的那樣，絕對是利好的訊息。但筆者所關心的是，ssd真能於兩年之內替代hdd，恐怕沒有那麼簡單!
在針對這一問題展開討論之前，先來看一下ssd的優勢以及最近在技術方面有哪些新的突破。
談到ssd的優勢，除了讀寫效能較hdd有了質的飛躍外，功耗、發熱量、體積等方面也有著很大的優勢，尤其在大型的資料中心，全面採用ssd能夠節省很多成本，如電力、散熱等。
在技術方面，最初的nand flash採用的是2d平面技術，雖然製造工藝已經達到了15nm的先進水平(未來甚至會將製造工藝提公升至9nm)，不過在其發展過程中已經遇到了嚴重的瓶頸——每個快閃儲存器儲存單元儲存的電子越來越少，抗磨損(每次寫入、擦除，需要高電壓，材料對電子控制能力隨之變弱)的冗餘電子減少，嚴重影響快閃儲存器耐久。雖然隨著製造工藝的提公升，2d nand flash單位面積內可以儲存更多的電子，能夠帶來儲存容量的提公升。但是，越先進的工藝，nand的氧化層越薄，可靠性也越差，廠商就需要採取額外的手段來彌補，這會造成製造成本的提高，以致於達到某個點之後製程工藝已經無法帶來優勢了。相比之下，3d nand就解決了這一問題。
何為3d nand呢?顧名思義，就是快閃儲存器的立體堆疊技術。intel此前曾用平房和樓房的例子比較直觀的介紹了3d nand技術，非常容易理解。intel表示，普通nand是平房，那麼3d nand就是高樓大廈，建築面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。由於快閃儲存器廠商不需要費勁心思去提高製程工藝了，轉而堆疊更多的層數就可以了，這樣一來3d nand快閃儲存器的容量、效能、可靠性都有了保證了，比如東芝的15nm nand容量密度為1.28gb/mm2，三星32層堆疊的3d nand可以輕鬆達到1.87gb/mm2，48層堆疊的則可以達到2.8gb/mm2。另外，在剛剛過去的7月份，東芝率先推出64層堆疊的3d nand，這意味著，快閃儲存器的成本和容量將會進一步拉低，拉響了新一低3d nand快閃儲存器進入儲存市場的號角。
雖然3d nand讓快閃儲存器廠商看到了希望，但想要在兩年內取代hdd，絕非易事。
首先，3d nand技術還處於起步階段，並不成熟。即使在未來兩年內，這項技術已經得到成熟的應用，但新產品在上市之初，**也不會太便宜，不會引起企業的大面積採購。
其次，新產品取代老產品，必須獲得充分的應用驗證，保證足夠的可靠性、可用性和安全性，這需要乙個較長的週期，特別在企業級市場。即使3d nand快閃儲存器能夠盡快投入應用當中，其成熟期最快也得需要一兩年的時間。
再次，機械硬碟的發展並未停滯不前，很多廠商還在繼續深挖垂直記錄(pmr)、疊瓦式磁記錄(smr)、充氦，推進熱輔助磁記錄(hamr)、二維磁記錄(tdmr)等，其中後者有望在兩三年內商用，而前者雖然提了很久但依然比較遙遠。
因此，筆者認為，ssd在未來兩年內全部取低ssd，基本上是不可能的。
不過，在企業的關鍵性業務上，比如很多的網際網路、金融等企業，ssd已經開始逐步佔據主導地位。但是，在非關鍵性業務上，hdd仍然佔據主導地位。
至於儲存的發展方向**，當前來看ssd絕對是未來的主流。不過，技術的發展速度太快了，誰能保證在未來會不會出現效能更強、成本更低的新技術和新產品。
原文發布時間為：2023年8月24日
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