如果是驅動led,那麼用1k左右的就行了。如果希望亮度大一些,電阻可減小,最小不要小於200歐姆,否則電流太大。如果希望亮度小一些,電阻可增大,增加到多少,主要看亮度情況,以亮度合適為準,一般超過3k以上時,亮度就很弱,但是對於超高亮度的led,有時候電阻為10k時亮度還能夠用。通常就用1k的。
(我比較喜歡用510ω)
對於驅動光耦合器,如果是高電位有效,即耦合器
輸入端接
埠和
地之間,那麼和驅動led的情況是一樣的;如果是低電位有效,即耦合器輸入端接埠和vcc之間,那麼除了要串接乙個1-4.7k之間的電阻以外,同時上拉電阻的阻值就可以用的特別大,用100k-500k之間的都行,當然用10k的也可以,但是考慮到省電問題,沒有必要用那麼小的。
對於驅動電晶體,又分為pnp和npn管兩種情況:對於npn,毫無疑問npn管是高電平有效的,因此上拉電阻的阻值用2k~20k之間的,具體的大小還要看電晶體的集電極接的是什麼負載,對於led類負載,由於發管電流很小,因此上拉電阻的阻值可以用20k的,但是對於管子的集電極為繼電器負載時,由於集電極電流大,因此上拉電阻的阻值最好不要大於4.7k,有時候甚至用2k的。對於pnp管,毫無疑問pnp管是低電平有效的,因此上拉電阻的阻值用100k以上的就行了,且管子的基極必須串接乙個1-10k的電阻,阻值的大小要看管子集電極的負載是什麼,對於led類負載,由於發光電流很小,因此基極串接的電阻的阻值可以用20k的,但是對於管子的集電極為繼電器負載時,由於集電極電流大,因此基極電阻的阻值最好不要大於4.7k。
對於驅動ttl積體電路,上拉電阻的阻值要用1-10k之間的,有時候電阻太大的話是拉不起來的,因此用的阻值較小。
但是對於cmos積體電路,上拉電阻的阻值就可以用的很大,一般不小於20k,通常用100k的。對於cmos電路,上拉電阻的阻值用1m的也是可以的,但是要注意上拉電阻的阻值太大的時候,容易產生干擾,尤其是線路板的線條很長的時候,這種干擾更嚴重,這種情況下上拉電阻不宜過大,一般要小於100k,有時候甚至小於10k。
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