當積體電路（ ic ）經受靜電放電（ esd） 時，放電迴路的電阻通常都很小，無法限制放電電流。例如將帶靜電的電纜插到電路介面上時，放電迴路的電阻幾乎為零，造成高達數十安培的瞬間放電尖峰電流， 流入相應的 ic 管腳。瞬間大電流會嚴重損傷 ic ，區域性發熱的熱量甚至會融化矽片管芯。 esd 對 ic 的損傷還包括內部金屬連線被燒斷，鈍化層受到破壞，電晶體單元被燒壞。
esd 還會引起 ic 的死鎖（ latchup ）。這種效應和 cmos 器件內部的類似可控矽的結構單元被啟用有關。高電壓可啟用這些結構，形成大電流通道，一般是從 vcc 到地。序列介面器件的死鎖電流可高達 1a 。死鎖電流會一直保持，直到器件被斷電。不過到那時， ic 通常早已因過熱而燒毀了。
電路級esd防護方法
1.併聯放電器件。
常用的放電器件有tvs，齊納二極體，壓敏電阻，氣體放電管等。如圖
1.2 瞬變電壓消除器 tvs(transient voltage suppressor) 。 tvs 是一種固態二極體，專門用於防止 esd 瞬態電壓破壞敏感的半導體器件。與傳統的齊納二極體相比， tvs 二極體 p/n 結面積更大，這一結構上的改進使 tvs 具有更強的高壓承受能力，同時也降低了電壓截止率，因而對於保護手持裝置低工作電壓迴路的安全具有更好效果。
tvs 二極體的瞬態功率和瞬態電流效能與結的面積成正比。該二極體的結具有較大的截面積，可以處理閃電和 esd 所引起的高瞬態電流。tvs也會有結電容，通常0.3個pf到幾十個pf。tvs有單極性的和雙極性的，使用時要注意。手機上用的tvs大約0.01$, 低容值的約2-3分$。
1.3 多層金屬氧化物結構器件 (mlv)，大陸一般稱為壓敏電阻。 mlv 也可以進行有效的瞬時高壓衝擊抑制，此類器件具有非線性電壓 - 電流 ( 阻抗表現 ) 關係，截止電壓可達最初中止電壓的 2 ～ 3 倍。這種特性適合用於對電壓不太敏感的線路和器件的靜電或浪湧保護，如電源迴路，按鍵輸入端等。手機用壓敏電阻約0.0015$,大約是tvs**的 1/6，但是防護效果沒有tvs好，且壓敏電阻有壽命老化。
2.串聯阻抗。
一 般可以通過串聯電阻或者磁珠來限制esd放電電流，達到防靜電的目的。如圖。如手機的高輸入阻抗的埠可以串1k歐電阻來防護，如adc，輸入的 gpio，按鍵等。不要擔心0402的電阻會被打壞，實踐證明是打不壞的。這裡不詳細分析。用電阻做esd防護幾乎不增加成本。如果用磁珠，磁珠的**大 約0.002$,和壓敏電阻差不多.
3.增加濾波網路。
前面提到了靜電的能量頻譜，如果用濾波器濾掉主要的能量也能達到靜電防護的目的。
對於低頻訊號，如gpio輸入，adc，音訊輸入可以用1k+1000pf的電容來做靜電防護，成本可以忽略，效能不比壓敏電阻差，如果用1k+50pf的壓敏電阻（下面講的復合防護措施），效果更好，經驗證明這樣防護效果有時超過tvs。
4.復合防護。
有一種器件叫emi filter，他有很好的esd防護效果，如圖。emifilter也有基於tvs管的和基於壓敏電阻的，前者效果好，但很貴，後者廉價，一般4路基於壓敏電阻的emi**在0.02$.
5.增加吸收迴路。
可以在敏感訊號附件增加地的漏銅，來吸收靜電。道理和避雷針原理一樣。
在訊號線上放置尖端放電點（火花隙）在山寨手機設計中也經常應用。
電路及esd靜電防護
1 併聯放電器件。常用的放電器件有tvs，齊納二極體，壓敏電阻，氣體放電管等。如圖 1.1 齊納二極體 zener diodes 也稱穩壓二極體 利用齊納二極體的反向擊穿特性可以保護 esd敏感器件。但是齊納二極體通常有幾十 pf 的電容，這對於高速訊號 例如 500mhz 而言，會引起訊號畸變。齊...
esd防護 電路級ESD防護方法
電路板級的esd防護方法有很多種類，常見的有以下幾個方法 1 併聯放電器件 常用的放電器件有esd tvs，固體放電管，穩壓二極體，壓敏電阻，氣體放電管等 瞬變電壓消除器 tvs transient voltage suppressor tvs 是一種固態二極體，專門用於防止 esd 瞬態電壓破壞敏...
二級C考試技巧
選擇題40個，1個1分 公共基礎10分 c語言30分 公共基礎 1 10題 第一章作業系統2分 第五章資料庫3分 第二章3分 第三四章2分 公共基礎 資料結構 軟體設計 資料庫 先看書後習題 選擇題答題技巧 1，概念題儲備 將最新版課後的習題全部掌握 2，程式題儲備 掌握常用演算法，重點考察邏輯判斷...