ｑ１：用iar embedded workbench for msp430 通過jtag往msp430上寫程式。為了知道片內程式的版本，必須讀出flash 中內容。什麼工具軟體可以通過jtag口實現這個功能？
a1：熔絲未燒斷的話，做個空程式的專案，然後在c-spy選項裡選擇保留未改變的區域，debug後看memory裡的內容！熔絲燒斷的話只能用程式設計器或bsl，如果加密了，只能通過bsl來讀了，不過你要知道中斷向量表的32個位元組的內容，即密碼。
q2：msp430f449中我想把乙個整形的數a存入某地方掉電也不丟失，作為以後程式執行的引數。是放在flash裡面嗎?用**怎麼實現?
a2：如果只是個巴位元組的話就把它作為陣列或者變數定義到flash就可以了。如： const unsigned char value@0x0c000；
ｑ3: 430裡面flash的主儲存區和資訊儲存區有什麼區別麼？是不是程式是儲存在主儲存區裡面的?那資訊儲存區是存什麼資訊的呢？存進去之後是不是隨時能夠讀寫出來呢?
a3: flash分主flash和資訊flash。如你所說,flash主儲存區主要來儲存程式。資訊flash就是儲存資料用的，可以隨時讀取。不過從物理特性而言他們是一模一樣的，就段的長度有區別。當然資訊段你也可以用來儲存程式使用。
q4：在flash 單位元組寫的時候,如我寫在d區,可以不用全部清d區嗎?因為d區還有先前儲存的資料.
a4： 不可以。只能先讀出然後全部擦除再重新寫入,如果flash可以如您說的那麼操作,那就是eeprom了
q5： 目前使用的微控制器是5v供電，買的flash儲存晶元3.3v供電，微控制器和儲存晶元的連線是怎麼的呢？我檢視一些相關資料，說是可以直接連線，但是直接連線有問題，請問如何連線？？需要什麼樣的方法？？
a5： 最好在flash與mcu之間接乙個電平轉換晶元, 或者用mofet管轉換一下電平。
q6：請問擦寫flash 選擇頻率時,有沒有要特別注意的,如果我用8m的,不分頻,這樣可以嗎?
a6：要注意啊，擦寫flash的頻率在250～470k（具體可以查查手冊）；必須對fctl2進行設定，使頻率在這個範圍內。
q7: 用jtag介面往430 中寫程式會不會破壞原有flash資訊段儲存的資料啊？
a7：取消擦除資訊段選項，即在iar project 的options 選項中debug 下的選項。
q8：從資料手冊上來看，在寫的過程中，好像要求判斷busy位來決定接下來的操作，可是為什麼ti的例程裡面沒有判斷busy bit ？是不是mcu會自動判斷？
a8：430對flash的寫操作多種。比如塊寫（××ockwrite）和位元組/字寫（byte/wordwrite），在不同模式下，允許寫的操作也不同。比如在位元組寫（byte write）操作下，允許在flash memory或在ram下進行。當在flash memory下進行寫操作時，此時cpu是掛起的，直到寫操作完成它才能執行下乙個指令操作，但是當擦除程式是在ram內初始化的，那麼cpu就可以一直執行，如果不判斷ｂｕｓｙ位的話，當ram內**執行完畢（us級），ｐｃ跳轉到flash，而此時flash還再做擦除操作（ms級）就會造成非法訪問，產生不可遮蔽中斷。
q9：msp430的編譯器預設是將陣列定義在ram 裡面。請問如果我要將定義的陣列直接儲存在flash裡面應該如何定義呢？是不是要修改編譯器的某個配置資訊，然後直接用const 定義呢？
a9：這個如何分配，以及用什麼關鍵字都是由編譯器決定的，如果你用的是iar embedded workbench for 430，那再在陣列宣告的時候，前面加乙個const那麼在編譯的時候就會將陣列分配到flash空間。如果不加const預設的情況是分配到ram空間的。
MSP430常見問題之通訊類
1 430 串列埠中，有個r d 控制線，在接收上位機的資料，但本身的資料有無傳送完畢不知道啊，什麼時候才可置低r d 位來接收資料啊？好像430 沒有傳送完中斷標誌 a1 位元組主動傳送，一般都能發出去，除非你的的時鐘有問題 可以用程式檢測，半雙工通訊，可以多傳送乙個位元組，作為判斷，當最後個位元...
MSP430常見問題之AD轉換類
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