阱深和靈敏度的關係

阱深：ccd探測器上每個感光像元或者輸出通道像元可以儲存的電荷最大數目叫做阱深。一般ccd會標註兩個阱深，乙個是單像元（即感光像元），乙個輸出像元；阱深決定了可用於像元單次能接收的最大電荷訊號或者輸出訊號。

工作原理是：若在ccd電極上施加乙個適當的正電壓，會形成電荷耗盡區，即能夠吸引電子的勢阱。電極上所加的電壓越高，勢阱越深，電荷留在阱內量越多；一般來說像元越大的，阱深也越大（相當於水桶容量大）。

靈敏度：對於探測器，靈敏度特性曲線可以分成三個部分：暗區域，線性區域和飽和區域，典型的靈敏度曲線如下表。

靈敏度特性曲線的暗區域表示探測器對低照度的探測情況。在暗區域的輸出非常低，有可能會被雜訊覆蓋。當逐漸增加入射光子數，你會發現乙個點，在這個點上隨著光的數量不斷增加，探測器的輸出開始可預知地增加。這個點叫做 nee（noise equivalent exposure）。

在達到 nee 點之後，感測器的輸出開始變成線性。輸出一直是線性的，直到達到另外乙個點，這個點叫做 see（saturation equivalent exposure）。在這個點上隨著光照的增加感測器的輸出以非線性增加。

探測器的靈敏度曲線線性部分就是通常提及的靈敏度。對於一給定數量的光，探測器的輸出電壓越高，它的靈敏度就越高。這樣也能說明和阱深有一定的關係。

當我們關注靈敏度的時候，也不能單純只看阱深，剛才也說了如果nee水平線太高，那麼在低光照情況下，訊號也容易被雜訊覆蓋，這樣也根本體現不出靈敏度高的優勢來。

我們同時也可以通過動態範圍來看，動態範圍=20xlog10（滿阱容量／總雜訊)，動態範圍越大,ccd靈敏度也越好。