2.4g的cc253x晶元由ti公司生產，可以很容易建立在基於ieee802.15.4標準協議上面，現今多數zigbee感測節點都是用cc253x的晶元。
cc253x的ieee位址共分為三種：primary ieee， secondary ieee和random ieee。其中primary ieee位址在生產時已經由ti預先確定，無法更改，而對於secondary ieee位址使用者則可以更改，如果無法獲取primary ieee 和 secondary ieee時，則會是用第三種隨機位址來代替自己的mac位址。
（1）primary ieee
首先了解一下晶元flash information page ，晶元儲存快閃儲存器資料資訊的起始位址為0x7800，所以在iocc2530.h標頭檔案中定義的flash information page的起始位置，#define p_infopage pxreg( 0x7800 )，
另外，primary ieee位址就儲存在該page中，其儲存的位置偏移量為0xc， 所以要拿到primary ieee的位址，只需
uint8 *macaddrptr = (uint8 *)(p_infopage+hal_infop_ieee_oset);其中p_infopage = 0x7800,即儲存位址的起始位置，hal_infop_ieee_oset為0xc，是位址存放位置的偏移量，因為位址為8個位元組，所以讀取向後讀取8個位元組就是其mac位址。for(int i=0;i<8;i++)
（2）secondary ieee
根據cc253x的資料手冊，secondary ieee存放在flash的最後偏移量為0x18（24）的地方，對於f-256的cc253x，其flash有256k，即246*1024=262144位元組，所以其位址存放在262144-24=262120=0x3ffe8的位置，因為位址長度為8個位元組，所以位址的範圍為0x3ffe8~0x3ffef。
halflashread(hal_flash_ieee_page, hal_flash_ieee_oset, aextendedaddress, z_extaddr_len);其中hal_flash_ieee_page = 127，即最後一頁，hal_flash_ieee_oset = (2048-16-8)=2024，即偏移量。由於是最後一頁，所以要對memctr（儲存控制暫存器）進行控制。具體**如下：
void halflashread(uint8 pg, uint16 offset, uint8 *buf, uint16 cnt)memctr = memctr;
}
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本課程主要是cc2530的系列課程，並附上原始碼。課程內容大體安排如下 第一章 zigbee簡介 第二章 zigbee軟體開發平台的搭建 zigbee cc2530 系列教程 3 點亮1個led實驗 zigbee cc2530 系列教程 4 按鍵控制led實驗 zigbee cc2530 系列教程 ...