參考文章：高手高階，終極記憶體技術指南——完整/高階版
文章原載於《電腦高手》雜誌2023年第12期，作者趙效民。
名詞釋義：
【記憶體類裝置】有位址線，可以由cpu直接通過位址線訪問的裝置，如sdram、nor flash、網絡卡等；
【記憶體控制器】cpu通過記憶體控制器（mc）與記憶體交換資訊，cpu將位址傳送給mc，mc把位址分解後到相應記憶體晶元取相應位址的資料；
【北橋與南橋】cpu通過北橋和南橋連線其他裝置，北橋連線高速裝置和南橋，南橋連線低速裝置；目前已將北橋整合到了cpu中，南橋也將進一步整合；
【sdram】同步動態隨機訪問記憶體，同步是指記憶體與cpu時鐘頻率相同，動態是因為dram使用電容作為資料儲存單元，需要不斷重新整理為電容充電來保證資料不丟失。
名稱功能
基本儲存單元
dram
讀、寫電容，ram讀寫速度都很快，但掉電後資料丟失，不能儲存資料
sram
讀、寫鎖存器（4個電晶體構成）
rom讀、儲存
電晶體，滿足特定條件時才能寫rom和flash
flash
讀、儲存
特殊場效電晶體，讀取速度比rom快
nor flash
讀速度快，寫速度慢，**高，支援xip（execute in place，即晶元內執行），常用於存放bootloader
nand flash
讀速度慢，寫速度快，**低，通常有壞塊，常用於在bootloader引導下燒錄大體積程式
【模式暫存器】記憶體晶元內部的暫存器，晶元初始化時，記憶體控制器通過位址線寫模式暫存器，設定記憶體晶元的工作引數。
以jz2440開發板使用的k4s561632n記憶體晶元為例：
記憶體晶元組輸出資料的位寬必須與cpu資料匯流排位寬相同，如32位系統中記憶體晶元組輸出的資料位寬必須為32位，這樣的一組記憶體晶元稱為乙個物理bank（physical bank，簡稱p-bank）。k4s561632n的資料位寬為16位，因此需要兩個晶元併聯才能組成乙個p-bank，乙個晶元儲存低16位，另乙個儲存高16位，組成乙個32位資料。乙個記憶體控制器可以接多個p-bank，通過片選訊號cs來選擇。
為避免定址衝突造成記憶體效率降低，將晶元分為多個邏輯bank（logic bank，簡稱l-bank），根據晶元連線ba0、ba1可知，該晶元內部分為4個l-bank，通過ba0和ba1進行選擇。
每個l-bank相當於一張**，有行和列，晶元在ras和cas控制下從位址匯流排接收行位址和列位址。由晶元手冊可知，k4s561632n的行位址由a0-a12確定，共2^13個，列位址a0-a8確定，共2^9個。
綜上，k4s561632n的容量 = l-bank數 * 行數 * 列數 * 晶元位寬（基本儲存單元位數） = 4 * 2^13 * 2^9 * 16 bit= 256mb = 32mb。
以讀資料為例，cpu發出32位位址訊號，記憶體控制器根據位址發出片選訊號cs選中sdram，並將位址訊號拆分為l-bank位址、行位址、列位址，可將l-bank位址訊號ban、行位址訊號an、行選通訊號ras同時發給記憶體，選中待讀取資料所在的行，然後傳送列選通訊號cas和列位址訊號an，選中待讀取資料所在的位置，晶元把該資料通過dqn傳送到資料匯流排上。
寫操作與讀操作類似，但要使能寫訊號we。
trcd： ras to cas delay，行選通到列選通之間的間隔時間，必須設定足夠的預留時間，以保證從 位址匯流排依次得到的行位址訊號和列位址訊號不會互相干擾；
cl： cas latency，cas潛伏期，指從發出cas訊號到資料匯流排上出現有效的資料所經過的時間；
bl： brust length，突發長度，可以設定乙個bl值用於操作連續的bl個資料，只要指定起始位址，記憶體晶元就可以自動依次對接下來的bl-1個資料進行操作，而不需要再提供位址；
trp： ras pre-charge time，行位址每次改變需要的時間，又稱為預充電有效週期。sdram每次只 能定址一行，如果接下來要對另一行進行定址，就要對當前行所有儲存體進行資料重寫（從 s-amp寫回儲存體，即按照s-amp對儲存體重新充電），並復位行位址，這個操作叫做預充 電；
trc： row cycle time，行週期時間，從開始操作某行到開始操作另一行的最短時間。
s-amp： 相當於乙個快取，讀取某個儲存體時，資料先傳送到s-amp，再發往資料匯流排，s-amp會 暫存這個資料，再次讀取時可以直接傳送到資料匯流排，不用再讀取儲存體，預充電重新整理 操作時，釋放s-amp，對儲存體重新充電；
重新整理： dram為電容儲存，儲存體中電容的資料有效儲存期上限為64ms，因此每64ms要對所有 儲存體進行一次重寫操作（即重新整理，與預充電中的重寫操作一樣）。每次花費數個時鐘 週期時間重新整理一行，64ms/2^13時間後重新整理下一行；
dqm： data i/o mask，資料掩碼，用於遮蔽某些不需要的位元組，該晶元組輸出32位資料，因 此有4條dqm線。
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s3c2440記憶體控制器與SDRAM基本測試
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