12v3a多協議旅充快充全套解決方案，包括原邊pwm控制晶元sdh8666q，同步整流控制晶元sd8510和協議晶元sd8605。sdh8666q採用ehsop5貼片封裝，內建高壓啟動功能和高壓super junction mos，驪微電子推出的士蘭微12v3a多協議旅充快充全套解決方案支援30w快充應用，sd8605在上一代協議ic sd8602q基礎上內建了負載隔離管，提高了系統整合度，降低了外圍器件數量，該方案支援pd/qc/fcp/scp等多協議。
sdh8666q產品特點：
● 架構晶元，工作於ccm/dcm/qr模式
● 內建高壓啟動，待機功耗<40mw
● 內建650v高壓dpmos
● 改善的抖頻方式，有效降低emi
● vcc hold功能，防止輕載或動態切換時晶元欠壓重啟
● brown in/out，輸出二極體短路保護等完善的保護功能
● ehsop5貼片封裝
sdh8666q系列產品ehsop5優勢突出：
1、產品採用自有ehsop5貼片封裝，更適於自動化生產；
2、封裝厚度僅為1.6mm，是to252封裝的2/3，對外殼溫公升影響更小；
3、rthja為60℃/w，與to252相當，而rthjc僅為1.05℃/w，是to252封裝的1/2，更有利於散熱。
sdh8666q系列內建大功率mosfet的反激電源管理晶元，是新一代反激控制晶元，採用了自有專利ehsop5貼片封裝，內建高壓大功率mosfet，可廣泛適用於36w介面卡或48w開放環境，包括通用介面卡、快充、顯示器和平板電視等，更多sdh8666q多協議旅充快充全套解決方案及相關資料可以諮詢士蘭微一級**商驪微電子。
36W六級能效12V3A介面卡方案
隨著doe 六級能效及coc v5 tier 2的實施，同步整流取代肖特基已成為大勢所趨，驪微電子推出新一代精簡外圍12v3a六級能效充電器 介面卡方案 pn8275 pn8308h外圍外圍bom降低20 效率高達87 滿足六級能效的傳統12v3a六級能效同步整流方案。六級能效同步整流方案概述 pc...
第12周專案3 多檔案程式組織
作 者 孔令璽 完成日期 2013 年 11 月 17 日 版 本 號 v1.0 中 codeblocks中程式的多檔案組織 建立乙個包含多個檔案的專案，把本週專案2 太樂了 也用多檔案組織起來。其中，main 函式儲存在乙個檔案中，所有自定義函式儲存到另外乙個檔案中，執行程式並得到正確的結果，體會...