微流控晶元要在所選用的材料基板上構建出 微公尺級通道 和 其他元件，內壁光滑度要求很高，需要採用特定的微細加工技術。微細加工技術是將圖形高精度轉移到晶元上的技術，主要包括 光刻(lithography) 和 蝕刻(etching) 等，已廣泛應用於半導體和積體電路製作中。
玻璃等晶元微細加工技術的基本過程包括：
(1). 塗膠
(2). **
(3). 顯影
(4). 腐蝕
(5). 去膠
環境和步驟對晶元的質量產生直接影響，操作須嚴格按照工藝要求進行，使刻出來的影象重疊精度高，清晰，沒有鑽蝕、毛刺、針孔和小島等缺陷。
光刻的一般步驟( 8 步 )：
光刻 是利用 光成像 和 光敏膠 在微流控晶元的基片如矽、玻璃、石英等材料上圖形化的過程；
光刻技術一般由以下工藝過程構成:
(1). 基片清洗
通過脫脂、拋光、酸洗、水洗的方法使矽、石英或玻璃等基片被加工表面得以淨化，再將其乾燥，以利於光刻膠與基片表面有良好的粘附。
(2). 塗膠
塗膠是在經過處理的基片表面均勻塗上一層粘性好、厚度適當的光刻膠。
最常用的塗膠方法是旋轉塗敷法，它是在塗膠機上進行的，這種方法所得到的膠膜較好。此外，塗膠方法還有刷塗法、浸漬法、噴塗法等。
(3). 前烘
前烘是在一定的溫度下，使光刻膠液中溶劑揮發。它能增強光刻膠與基片黏附以及膠膜的耐磨性，以便於承受在**過程中膠膜與掩膜之間的摩擦，增加膠膜耐顯影液浸泡的能力，保證在**時能進行充分的光化學反應。
前烘通常在電熱恆溫箱內或熱空氣中進行，也可採用紅外熱源，但應注意避免膠膜見光。
(4). **
**時將掩膜置於光源與光刻膠之間，用紫外光等透過掩膜對光刻膠進行選擇性照射，在受光照到的地方，光刻膠發生
化學反應，從而改變感光部位膠的性質。
**是光刻中的關鍵工序。光刻膠對波長範圍 300-500 nm 的光敏感。最常用的光源是汞燈。
**主要有以下幾種方式：
(1). 光學**
(2). 接觸式和接近式影印**
(3). 光學投影成像** .
(5). 顯影及檢查
顯影是把**過的基片用顯影液除去應去掉的部分光刻膠，以獲得與掩膜相同(正光刻膠) 或 相反(負光刻膠) 的圖形。
顯影時間視操作條件而異，一般以 1~3 min 為宜。
(6). 堅膜
堅膜是將顯影後的基片進行清洗後在一定溫度下烘烤，以徹底除去顯影後殘留於膠膜中的溶劑或水分，使膠膜與基片緊密粘附，防止膠層脫落，並增強膠膜本身的抗蝕能力。
一般堅膜溫度在 150-200 c 之間，時間為 20-45 min
(7). 腐蝕
腐蝕是以堅膜後的光刻膠作為掩蔽層，通過化學或物理方法將被刻蝕物質剝離下來，以得到期望圖形的刻蝕方法。
根據腐蝕劑的狀態不同，可將腐蝕工藝分為濕法腐蝕和乾法腐蝕兩大類；由於乾法腐蝕裝置**昂貴，所以目前乾法腐蝕較少用於微流控晶元的製造。
(8). 去膠
腐蝕結束後，光刻膠就完成了它的使命，因此需要設法把這層無用的膠膜去掉，這一工序稱為去膠。
去膠主要有下列幾種方法：
(1). 溶劑去膠
(2). 氧化去膠
(3). 等離子去膠
(4). 紫外線分解去膠法
經過上述步驟，就可以得到刻有微通道的微流控基片。
微流控晶元實驗室-林秉承
(1). 基於液滴技術的單細胞微流控pcr技術
(2). 基於微幫浦微閥技術相關的單細胞微流控pcr
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