1、ram，主要分為兩大類
sram（靜態ram：static ram）：sram速度非常快，是目前讀寫最快的儲存裝置，它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如cpu的一級緩衝，二級緩衝。
dram（動態ram：dynamic ram）：dram保留資料的時間很短，速度也比sram慢，不過它還是比任何的rom都要快，**較sram便宜很多。常見的有sdram（同步dram：synchronous dram）、ddr ram，他們倆的不同之處在於ddr ram可以在乙個時鐘讀寫兩次資料，使得資料傳輸速度加倍。
2、rom，被flash替代，不需要了解太多
1、對於flash儲存器件的可靠性需要考慮3點：位反轉、壞塊和可擦除次數。
2、flash儲存器件由擦除單元(也稱為塊)組成，當要寫某個塊時，需要確保這個塊已經被擦除。nor flash的塊大小範圍為64kb～128kb；nand flash的塊大小範圍為8kb～64kb，擦/寫乙個nor flash塊需4s，而擦/寫乙個nand flash塊僅需2ms。nor flash的塊太大，不僅增加了擦寫時間，對於給定的寫操作，nor flash也需要更多的擦除操作——特別是小檔案，比如乙個檔案只有1kb，但是為了儲存它卻需要擦除大小為64kb～128kb的nor flash塊。nor flash的介面與ram完全相同，可以隨意訪問任意位址的資料。而nand flash的介面僅僅包含幾個i/o引腳，需要序列地訪問。nand flash一般以512位元組為單位進行讀寫。這使得nor flash適合於執行程式，而nand flash更適合於儲存資料。
3、將資料寫入dram後，經過一段時間，資料會丟失，因此需要乙個額外設電路進行記憶體重新整理操作。具體的工作過程是這樣的：乙個dram的儲存單元儲存的是0還是1取決於電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是資料丟失的原因; 重新整理操作定期對電容進行檢查，若電量大於滿電量的1/2，則認為其代表1，並把電容充滿電; 若電量小於1/2，則認為其代表0，並把電容放電，藉此來保持資料的連續性。
5、感謝
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準備EMC之 RAM ROM FLASH區別
ram random access memory 的全名為隨機訪問記憶體，它相當於pc機上的移動儲存，用來儲存和儲存資料的。它在任何時候都可以讀寫，ram通常是作為作業系統或其他正在執行程式的臨時儲存介質 可稱作系統記憶體 不過，當電源關閉時ram不能保留資料，如果需要儲存資料，就必須把它們寫入到乙...
golang中值型別 指標型別的變數區別總結
前言 值型別 所有像int float bool和string這些型別都屬於值型別，使用這些型別的變數直接指向存在記憶體中的值，值型別的變數的值儲存在棧中。當使用等號 將乙個變數的值賦給另乙個變數時，如 j i 實際上是在記憶體中將 i 的值進行了拷貝。可以通過 i 獲取變數 i 的記憶體位址 指標...
Python 例項方法 類方法 靜態方法區別總結
二 示例 注意 不管self引數，還是cls引數，都是一種約定俗成的用法，其實是可以使用其他的引數名代替。但是不建議使用其他引數名，畢竟 不是只是寫給自己看的。class a object def m1 self,n print self self classmethod def m2 cls,n ...