凌科芯安多款加密晶元均設定了nvm區，因其具備掉電不擦除的物理特性和防暴力破解等安全特性，眾多使用者會利用nvm區儲存重要資料。雖然使用方法簡單，但有一點技術細節容易被忽視。nvm區有10萬次擦寫壽命或10年儲存壽命，因此使用者使用時要結合自己專案的應用場景和業務邏輯進行合理分配，達到高效使用nvm區，下面展開說明。
問題一：更新資料邏輯不合理
nvm區的寫操作是按頁實現的，應多以頁為單位進行寫操作。舉例：有些使用者將多組資料儲存於同一nvm頁內，但每更改其中一組資料時，就對該頁執行了一次寫操作，這其實是不提倡的。正確的做法是，盡量將該頁內的多組資料統一更新，這樣能有效減少扇區擦寫次數，延長nvm區壽命。
同樣因為按頁操作的原因，使用者應將不同資料分組按頁對齊，避免資料跨頁儲存的情況發生。舉例：有些使用者將一組連續資料放在了兩頁位址交界處，當對該組資料進行更新寫操作時，實際就對兩頁資料同時實行了寫操作，即使只寫了2位元組資料，也會造成1024位元組區域（假設目標加密晶元的nvm扇區大小是512位元組）的寫壽命減少，這種操作是不提倡的。
問題三：nvm區未做安全防護引起資料丟失
nvm區的寫操作是由三步完成的，第一步讀取目標扇區內原資料，第二步擦除目標扇區內資料，第三步將修改後的新資料和未做修改的原資料寫回目標扇區。因此當意外斷電等情況發生時，加密晶元恰好執行完寫nvm區的第二步操作，且未完成寫nvm區的第三步操作，就會造成目標區域內資料發生無規律錯亂。當然也有解決辦法，下期分解。
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