儲存裝置之間的關係：
ram和rom 記憶體和外存：
ram: random access memory,隨機訪問儲存器，特點：任意位元組讀寫，掉電丟失，也稱為記憶體。
rom：read only memory，唯讀儲存器，早期的rom因為技術不成熟所以無法擦寫，出廠後就只能讀資料，所以叫唯讀儲存器，後來隨後來隨著技術的發展，在rom的基礎上出現了新的半導體儲存介質eprom和eeprom，這兩種可擦寫，這就不符合rom的命名，但是由於是在rom的技術上衍變出來的，所以延用了一部分原來的叫法，此時非易失的半導體儲存介質開始得以廣泛應用，被大量用於電腦主機板的bios和嵌入式儲存，而後來在這兩種技術的發展上又發展出了nand flash快閃儲存器，這就是我們現在用的u盤中用到的技術，同樣，因為其體積小，容量和速度均不錯，現在手機儲存中的emmc顆粒也是用的這種技術，所以有手機廠商就把手機的儲存容量約定俗成為rom，其繼承rom斷電不一時的特性，而且有著較快的速度。也被稱為外存，一般把flash、sd卡這些裝置叫外存。
總結一下就是：rom剛開始因為技術不成熟，所以是不能用程式去寫的，只能用物理的方式去寫，後來由於技術的發展，產生了eprom和eeprom，是可以用程式去寫的，這就不符合了rom的叫法，但是是用的rom的技術演變來的，所以還是沿用了叫法，現在的手機廠商把儲存裝置約定為rom，並不是說它就是唯讀的，指示沿用了叫法。
儲存原理：
1.儲存裝置原理大部分都是磁儲存的，例如硬碟，磁帶，cd等，速度慢，嵌入式領域幾乎不用
2.現代社會的儲存發展方向是flash儲存，快閃儲存器利用的是電學原理來儲存0和1，讀寫速度快
各種儲存裝置之間的關係：
3.最早出現的flash是nandflash和norflash，也是最原始的flash，晶元中只是對儲存單元做了最基本的讀寫介面，然後要求外部的soc來提供flash讀寫的控制器來操作flash
4.最早出現的flash的缺點，1、讀寫介面時序比較複雜。2、內部無壞塊處理機制，需要soc自己來管理flash的壞塊；3、各家廠家的flash介面不一致，甚至同乙個廠家的不同型號、系列的flash介面都不一致，這就造成產品公升級時很麻煩。
5.nandflash分為mlc和slc兩種，slc技術比較早，可靠性高，缺點是容量做不大（或者說容量大了太貴，一般slc nand都是512mb以下）；mlc技術比較新，不成熟，可靠性差，優點是容量可以做很大很便宜，現在基本都在發展mlc技術。
6.sd卡、mmc卡、microsd、tf卡
這些卡其實內部就是flash儲存顆粒，比直接的nand晶元多了統一的外部封裝和介面。卡都有統一的標準，譬如sd卡都是遵照sd規範來發布的。這些規範規定了sd卡的讀寫速度、讀寫介面時序、讀寫命令集、卡大小尺寸、引腳個數及定義。這樣做的好處就是不同廠家的sd卡可以通用
7.inand、movinand、essd
(1)電子產品如手機、相機等，前些年趨勢是用sd卡/tf卡等擴充套件儲存容量；但是近年來的趨勢是直接內建大容量flash晶元而不是外部擴充套件卡。
(2)外部擴充套件卡時間長了卡槽可能會接觸不良導致不可靠。
(3)現在主流的發展方向是使用inand、movinand、essd（還有別的一些名字）來做電子產品的儲存晶元。這些東西的本質還是nandflash，內部由nand的儲存顆粒構成，再整合了塊裝置管理單元，綜合了sd卡為代表的各種卡的優勢和原始的nandflash晶元的優勢。1、向sd卡學習，有統一的介面標準（包括引腳定義、物理封裝、介面時序）。2、向原始的nand學習，以晶元的方式來發布而不是以卡的方式；3、內部內建了flash管理模組，提供了諸如壞塊管理等功能，讓nand的管理容易了起來。
8.sd卡和mmc卡的關係
mmc標準比sd標準早，sd標準相容mmc標準,mmc卡可以被sd讀卡器讀寫，而sd卡不可以被mmc讀卡器讀寫,
9.sd卡和nand、nor等flash晶元差異
sd卡/mmc卡等卡類有統一的介面標準，而nand晶元沒有統一的標準（各家產品會有差異
10.sd卡與microsd的區別
(1)體積大小區別而已，傳輸與原理完全相同。
11.sd卡與tf卡的區別
(1)外觀上，sd卡大而tf卡小；用途上，sd卡用於數位相機等而tf卡廣泛用於手機、gps等；
(2)時間上，sd卡2023年推出，tf卡於2023年推出；sd卡由日本松下、東芝與美國sandisk共同推出，而tf卡由motorola與sandisk共同推出。
(3)sd卡有寫保護而tf卡沒有，tf卡可以通過卡套轉成sd卡使用。
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