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3月22日訊息，高通首款10nm移動平台驍龍835在今天實現了亞洲首秀。這款應用於旗艦機型的晶元備受業界關注，高通講述了該晶元在續航、沉浸式體驗、拍攝、連線以及安全等方面的效能引數。高通方面表示即將有搭載該晶元的手機面世。
高通副總裁兼qct中國區總裁sanjay mehta（武商傑）認為，未來智慧型手機仍然有很大的發展空間，2023年-2023年智慧型手機累計出貨量預期將超過83億台。而高通幫助了更多中國廠商走向了全球。
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武商傑透露，目前已經有超過200款終端設計採用或者正在開發使用高通驍龍820/821晶元，並成為了智慧型手機旗艦終端的選擇。
今天高通發布的驍龍835則是首款10nm工藝製程的移動平台，有超過30億個電晶體，在cpu效能方面，比驍龍821最能效能提公升了20%。
之前製程工藝更多是由pc晶元來引領發展，隨著智慧型手機的發展，移動晶元的製程工藝開始引領發展。高通產品市場高階總監張云表示，製程工藝不斷演進的動力來自希望更小的尺寸來整合更多特性，適用更薄的手機，更大電池容量，實現更低功耗。
高通驍龍835在視覺處理和安全、音訊等等方面實現了提公升。另外，高通特意提到了隨著835晶元的推出，高通還推出了快充***：高通quick charge4，可以實現充電15分鐘充電量50%。具體的一些引數之前ces首秀的時候已經公布。
驍龍835晶元亞洲首秀的今天也是京東與高通「驍龍專列」合作一週年。京東胡勝利透露一大批打在驍龍835晶元的手機將會在京東上面世。之前有傳.三星galaxy s8、小公尺6、lg、諾基亞等手機廠商有意搭載該晶元。在高通驍龍835首秀的同時，小公尺官方微博也**了高通該晶元的微博，並附上了「強者先行」字樣，暗示了小公尺新機將搭載該晶元。
官方中文規格表：
工藝尺寸：驍龍835採用10nm finfet製程，三星代工，尺寸減小35%，功耗降低25%。
cpu：採用八核kryo 280自研核心，主頻最高2.45ghz（早先資料稱，小核是1.9ghz，待官方確認），這比驍龍821的2.35ghz提公升了4%（小核提公升了18%），最終效能提公升20%。
基帶：x16數據機，全球首款千兆lte基帶，4載波聚合、7模全網通。
充電：qc4.0技術，15分鐘可充50%的電，速度提公升20%。
記憶體：lpddr4x雙通道、ufs 2.1、sd3.0（uhs-1）
連線性：802.11ad（60ghz）、802.11ac（2x2 mu-mimo）、藍芽5.0
定位：支援gps、格洛納斯、北斗、伽利略
dsp：hexagon 682，整合向量擴充套件，支援tensorflow和halide
音訊：aqstic音訊編解碼器，支援原生dsd、123db高訊雜比。
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