隨機訪問儲存器（random access memory，ram）又稱作「隨機儲存器」，是與cpu直接交換資料的內部儲存器，也叫主存(記憶體)。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為cpu的資料緩衝池。
儲存單元的內容可按需隨意取出或存入，且訪問的速度與儲存單元的位置無關的儲存器。這種儲存器在斷電時將丟失其儲存內容，故主要用於儲存短時間使用的程式。 按照儲存單元的工作原理，隨機儲存器又分為靜態隨機儲存器（英文：static ram，sram)和動態隨機儲存器（英文dynamic ram，dram)。
1、隨機訪問
所謂「隨機訪問」，指的是當儲存器中的資料被讀取或寫入時，所需要的時間與這段資訊所在的位置或所寫入的位置無關。
2、易失性
當電源關閉時ram不能保留資料。如果需要儲存資料，就必須把它們寫入乙個長期的儲存裝置中（例如硬碟）。
3、訪問速度
現代的隨機訪問儲存器幾乎是所有訪問裝置中寫入和讀取速度最快的，訪問延遲和其他涉及機械運作的儲存裝置相比，也顯得微不足道。
4、需要重新整理（針對dram）
現代的隨機訪問儲存器依賴電容器儲存資料。電容器充滿電後代表1(二進位制)，未充電的代表0。由於電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，資料會漸漸隨時間流失。重新整理是指定期讀取電容器的狀態，然後按照原來的狀態重新為電容器充電，彌補流失了的電荷。需要重新整理正好解釋了隨機訪問儲存器的易失性。
1、靜態隨機儲存器(sram)
靜態儲存單元是在靜態觸發器的基礎上附加門控管而構成的。因此，它是靠觸發器的自保功能儲存資料的。掉電丟失。
2、動態隨機儲存器(dram)
動態ram的儲存矩陣由動態mos儲存單元組成。動態mos儲存單元利用mos管的柵極電容來儲存資訊，但由於柵極電容的容量很小，而漏電流又不可能絕對等於0，所以電荷儲存的時間有限。為了避免儲存資訊的丟失，必須定時地給電容補充漏掉的電荷。定時重新整理
cache儲存器：電腦中為高速緩衝儲存器，是位於cpu和主儲存器dram(dynamicrandomaccessmemory)之間，規模較小，但速度很高的儲存器，通常由sram(staticrandomaccessmemory靜態儲存器)組成。它是位於cpu與記憶體間的一種容量較小但速度很高的儲存器。
cache又分為l1cache（一級快取）和l2cache（二級快取），l1cache主要是整合在cpu內部，而l2cache整合在主機板上或是cpu上。
cpu的速度遠高於記憶體，當cpu直接從記憶體中訪問資料時要等待一定時間週期，而cache則可以儲存cpu剛用過或迴圈使用的一部分資料，如果cpu需要再次使用該部分資料時可從cache中直接呼叫，這樣就避免了重複訪問資料，減少了cpu的等待時間，因而提高了系統的效率。
唯讀儲存器(read-only memory),rom所存資料，一般是裝入整機前事先寫好的，整機工作過程中只能讀出，而不像隨機儲存器那樣能快速地、方便地加以改寫。rom所存資料穩定 ，斷電後所存資料也不會改變；其結構較簡單，讀出較方便，因而常用於儲存各種固定程式和資料。
除少數品種的唯讀儲存器（如字元發生器）可以通用之外，不同使用者所需唯讀儲存器的內容不同。為便於使用和大批量生產，進一步發展了可程式設計唯讀儲存器（prom）、可擦可程式設計序唯讀儲存器（eprom）和帶電可擦可程式設計唯讀儲存器（eeprom）。
1、rom
唯讀記憶體（read-only memory）是一種只能讀取資料的記憶體。在製造過程中，將資料以一特製光罩（mask）燒錄於線路中，其資料內容在寫入後就不能更改，所以有時又稱為「光罩式唯讀記憶體」（mask rom）。此記憶體的製造成本較低，常用於電腦中的開機啟動。
2、可程式設計唯讀儲存器（使用較少）
可程式設計唯讀儲存器（英文：programmable rom，簡稱：prom）一般可程式設計一次。prom儲存器出廠時各個儲存單元皆為1，或皆為0。使用者使用時，再使用程式設計的方法使prom儲存所需要的資料。prom需要用電和光照的方法來編寫與存放的程式和資訊。但僅僅只能編寫一次，第一次寫入的資訊就被永久性地儲存起來。
3、可程式設計可擦除唯讀儲存器
可程式設計可擦除唯讀儲存器（英文：erasable programmable read only memory，簡稱：eprom）可多次程式設計。這是一種便於使用者根據需要來寫入，並能把已寫入的內容擦去後再改寫，即是一種多次改寫的rom。由於能夠改寫，因此能對寫入的資訊進行校正，在修改錯誤後再重新寫入。
4、帶電可擦除可程式設計儲存器（eeprom）
eeprom（帶電可擦寫可程式設計讀寫儲存器）是使用者可更改的唯讀儲存器（rom），其可通過高於普通電壓的作用來擦除和重程式設計（重寫）。不像eprom晶元，eeprom不需從計算機中取出即可修改。在乙個eeprom中，當計算機在使用的時候可頻繁地反覆程式設計，因此eeprom的壽命是乙個很重要的設計考慮引數。eeprom是一種特殊形式的快閃儲存器，其應用通常是個人電腦中的電壓來擦寫和重程式設計。
5、flash儲存器（快閃儲存器）
flash快閃儲存器 快閃儲存器的英文名稱是"flash memory"，一般簡稱為"flash"，它屬於記憶體器件的一種，是一種非易失性記憶體。分為nand flash和nor flash。
nor的特點是晶元內執行(xip, execute in place),這樣應用程式可以直接在flash快閃儲存器內執行,不必再把**讀到系統ram中。nor的傳輸效率很高,在1～4mb的小容量時具有很高的成本效益,但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的效能。
nand結構能提供極高的單元密度,可以達到高儲存密度,並且寫入和擦除的速度也很快。應用nand的困難在於flash的管理和需要特殊的系統介面。
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