在這之前先來了解幾個概念：
感性負載：負載電流滯後負載電壓乙個相位差特性的為感性負載，有線圈負載的電路，叫感性負載。
容性負載：電壓滯後電流特性的負載。
阻性負載：僅是通過電阻類的元件進行工作的純阻性負載。
先來看一張ac 220v氣幫浦控制電路，這是公司一直用的原理圖，然而在偶然的發現下，當控制訊號在關閉的時候，會有漏電流，既氣幫浦會有微弱的震動，量一下cn5兩端的電壓大約有12v左右（這還了滴）。
開始以為光耦壞了，於是把電路中的光耦拿掉了，然並卵，氣幫浦還是微弱的震動。又開始懷疑雙向可控矽壞了（最後事實證明都沒壞）。
來看乙個雙向可控矽的特性，網上蒐集來的：
轉換電壓變化率：
當驅動乙個大的電感性負載時，在負載電壓和電流間有乙個很大的相移。當負載電流過零時，雙向可控矽開始換向，但由於相移的關係，電壓將不會是零。所以要求可控矽要迅速關斷這個電壓。如果這時換向電壓的變化超過允許值時，就沒有足夠的時間使結間的電荷釋放掉，而被迫使雙向可控矽回到導通狀態。
為了克服上述問題，可以在雙向可控矽的兩端加乙個rc網路來限制電壓的變化，以防止誤觸發。一般電阻取100ω，電容取0.1uf的。
於是網上蒐集資料，因為氣幫浦是感性負載，負載電流滯後負載電壓乙個相位差，於是就會有乙個rc吸收迴路，rc吸收迴路相當於乙個容性負載，電壓滯後電流特性，兩者能減小電壓和電流的相位差。上圖只有ç有r141.r146.
另乙個答案，網上蒐集來的：
從結果上來來說，肯定是那個電容的問題，在光耦截止時，電容降壓太小，導致了可控矽還存在觸發電壓，這樣的話電機在光耦截止時仍然還會導通。道理應該就這樣了。
按照這個思路來，我把104電容（0.1uf的）的電容換成了102電容（100nf的），電容縮小了100倍，結果cn5兩端電壓有明顯減小的效果，具體電壓多少我忘了，反正效果非常明顯，於是猜想，電容越小，達到的效果越好，於是串聯三個102電容上去（竟然沒想到把電容拿掉......），電容更小了，cn5兩端電壓也變小了，對比上一次變化不太大。
後來繼續網上蒐集資料，有網友說rc電路可以省略掉，於是我把rc吸收迴路給去掉了，結果一量電壓cn5兩端的電壓不到0.2v，哈哈，完美解決有末有。具體為什麼省略我也沒搞明白，可能氣幫浦的感性負載比較小吧（猜測）。具體電路具體分析吧，反正對於我這個電路是這樣解決的。
詳情請參考此文章，點我！
雙向可控矽
雙向可控矽分為兩腳和三腳的 兩腳的雙向可控矽在達到電壓門限值後導通，導通後電流如果低於門限電流值則截止 三腳的雙向可控矽只要g腳有電流則可以導通，三腳雙向可控矽是電流控制器件，只要電流高於門限值就可以導通，反之截止 下面分析雙向可控矽的乙個應用電路 220v交流電經過電位器和限流電阻給c1反覆的充放...
單向可控矽（SCR）雙向可控矽（TRIAC）
雙向可控矽工作原理與特點 從理論上來講，雙向可控矽可以說是有兩個反向並列的單向可控矽組成，理解單向可控矽的工作原理是理解雙向可控矽工作原理的基礎 單向可控矽 單向可控矽也叫閘流體，其組成結構圖如圖1 a所示，可以分割成四個矽區p n p n和a k g三個接線極。把圖一按圖1 b 所示切成兩半，就很...
單向可控矽（SCR）雙向可控矽（TRIAC）
雙向可控矽工作原理與特點 從理論上來講，雙向可控矽可以說是有兩個反向並列的單向可控矽組成，理解單向可控矽的工作原理是理解雙向可控矽工作原理的基礎 單向可控矽 單向可控矽也叫閘流體，其組成結構圖如圖1 a所示，可以分割成四個矽區p n p n和a k g三個接線極。把圖一按圖1 b 所示切成兩半，就很...