矽與碳的唯一合成物就是碳化矽 (sic)，俗稱金剛砂。 sic 在自然界中以礦物碳矽石的形式存在，但十分稀少。 不過，自 1893 年以來，粉狀碳化矽已被大量生產用作研磨劑。 碳化矽用作研磨劑已有一百多年的歷史，主要用於磨輪和眾多其他研磨應用。
利用當代技術，人們已使用 sic 開發出高質量的工業級陶瓷。這些陶瓷展現出頗具優勢的機械特性，如：
高硬度高強度
低密度高彈性模量
高抗熱震性
優越的化學惰性
高導熱率
低熱膨脹
這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用於各類應用，如汽車制動器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。 碳化矽也用於在高溫和/或高壓環境中工作的半導體電子裝置，如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環境下的電子元器件。
sic 在汽車中的應用
碳化矽在汽車中的乙個主要用途就是高效能「陶瓷」制動盤。 矽與複合材料中的石墨結合形成了碳纖維增強碳化矽 (c/sic)。 這種制動盤用於一些運動型轎車、超級跑車以及其它頂級車型。
sic 在汽車中的另乙個應用是用作油品新增劑。 作此用途時，sic 可減少摩擦、輻射以及諧波。
sic 的早期應用
led
電致發光現象最早於 1907 年使用碳化矽發光二極體 (led) 發現。 很快，第一批商用 sic 基 led 就生產出來了。 20 世紀 70 年代，前蘇聯生產出了黃色 sic led，20 世紀 80 年代藍色 led 在世界範圍內廣泛生產。 後來推出了氮化鎵 (gan) led，這種 led 發出的光比 sic led 明亮數十倍乃至上百倍，sic led 也因此幾乎停產。 然而，sic 仍然是常用於 gan 裝置的基底，同時還用作高功率 led 散熱器。
避雷器
達到閾值電壓 (vt) 前，sic 都具有較高的電阻。達到閾值電壓後，其電阻將大幅下降，直至施加的電壓降到 vt 以下。 最早利用該特性的 sic 電氣應用是配電系統中的避雷器(圖 1)。
圖 1：sic 避雷器應用。
由於 sic 擁有壓敏電阻，因此 sic 芯塊柱可連線在高壓電線和地面之間。 如電源線遭雷擊，線路電壓將上公升並超過 sic 避雷器的閾值電壓 (vt)，從而將雷擊電流導向並傳至地面(而非電力線)，因此不會造成任何傷害。 但是，這些 sic 避雷器在電力線正常工作電壓下過於導電。 因而必須串聯乙個火花隙。 當雷擊使電源線導線的電壓上公升時，火花隙將離子化並導電，將 sic 避雷器有效地連線在電力線和地面之間。 後來，相關人員發現避雷器中使用的火花隙並不可靠。 由於材料失效、灰塵或鹽侵等原因，可能出現火花隙在需要時無法觸發電弧，或者電弧在閃電結束後無法猝熄的情況。 sic 避雷器本來是用來消除對火花隙的依賴的，但由於其不可靠，有間隙的 sic 避雷器大多被使用氧化鋅芯塊的無間隙變阻器所取代。
電力電子中的 sic
使用 sic 生產的半導體裝置有多種，包括肖特基二極體(也稱肖特基勢壘二極體，或 sbd)、j 型 fet(或 jfet)，以及用於大功率開關應用的 mosfet。 semisouth laboratories(已於 2013 年倒閉)在 2008 年推出了第一款商用 1200 v jfet，cree 在 2011 年生產了第一款商用 1200 v mosfet。 在此期間，一些公司也開始嘗試將 sic 肖特基二極體裸晶元應用到電力電子模組中。 事實上，sic sbd 已廣泛用於 igbt 電源模組和功率因數校正 (pfc) 電路。
圖 2：sic 元件代表：肖特基二極體、jfet 和 mosfet(由 凱利訊半導體 提供)。
sic 的利與弊
sic 基電力電子元件如此吸引人的乙個原因就是，在既定阻斷電壓條件下，其摻雜密度比矽基裝置幾乎高出百倍。 這樣就可以通過低導通電阻獲得高阻斷電壓。 低導通電阻對高功率應用至關重要，因為導通電阻降低時發熱少，從而減少了系統熱負荷並提高了整體效率。
但生產 sic 基電子元器件本身也存在一些難點，消除缺陷成了最重要的問題。 這些缺陷會導致 sic 晶體製成的元器件反向阻斷效能較差。 除了晶體質量問題，二氧化矽和 sic 的介面問題也阻礙了 sic 基功率 mosfet 和絕緣柵雙極型晶體的發展。 幸運的是，生產中使用滲氮工藝可使造成這些介面問題的缺陷大大降低。
sic 研磨片
碳化矽仍然在許多任務業應用中用作研磨劑。 其在電子行業中主要用作拋光膜，用於在拼接前為光導纖維的兩端拋光。 這些膜片能夠給光纖接頭帶來有效運作所需的高光潔度。
結論
碳化矽的生產已有一百多年的歷史， 但直到最近才用於電力電子行業。 由於其具備特殊的物理和電氣特性，在高壓和高溫應用中十分有用。
臻驅科技與羅姆成立碳化矽技術聯合實驗室
中國新能源汽車程式設計客棧電驅動領域高科技公司臻驅科技 上海 以下簡稱 臻驅科技 與全球知名半導體廠商rohm co.ltd.以下簡稱 羅姆 宣布在中國 上海 自由 區試驗區臨港新片區成立 碳化矽技術聯合實驗室 並於 2020 年 6 月 9 日舉行了揭牌儀式。與igbt 1 等矽 si 功率元器件...