分布引數——分布電容與引線電感。
分布電容：既看不見也摸不著，存在於兩個導體之間、導體與元器件之間、導體與地之間或元件之間。
引線電感：一種元件間連線導線的電感，有時也稱為內部構成電感。
分布引數在直流和低頻時對電路的影響是不嚴重的，但是在vhf和uhf頻段，分布引數會影響接收機前端調諧電路。因此在這種調諧電路中，需要可調整的電容。
rf頻段：介於集中引數頻段與分布引數頻段之間。集中引數頻段可用「路」的概念來分析，分布引數頻段則用「場」的概念來分析。
rf頻段與電路尺寸有關，電路尺寸只要小於八分之一導波波長，就可用「路」的概念來分析電路。
18ghz是公認的微波頻率。
rf電路既可用「路」的概念分析問題，又可用分布引數概念——長線理論來分析。（用「路」分析時，還要考慮分布引數的影響）
趨膚效應：交流電流流經導體時趨向於導體外邊部分，而直流電流均勻地流經整個導體的截面積。隨著頻率的公升高，趨膚效應形成乙個較小的導流帶，結果，形成了大於直流電阻的交流電阻。
導體交流電流密度分布從表面起到導體中心按指數規律迅速減小。
趨膚效應的影響：引起訊號傳輸途徑中的損耗增加。
趨膚深度ε：電流密度降到表面電流密度1/e=0.368處的臨界深度。
ε=sqrt(1/2πfγ
μ)f——頻率（hz）
μ——磁導率（h/m）
γ——電導率（s/m）
隨著頻率的公升高，電流愈趨向表面。
rf電路中發現的另乙個問題：訊號很容易從電路內向外部和在電路內部之間輻射。這樣就造成了電路內部元件之間，電路與其環境之間、其環境與電路之間的互相耦合，這種耦合又叫做寄生耦合。
電路元件之間的耦合造成了rf電路中的寄生反饋，引起電路的不穩定及效能下降。
電路中的訊號向外輻射造成了兩個後果：1.rf電路中的損耗增加 2.干擾環境中的其他rf電路。
rf電路中產生的干擾及其他效應都是這種互耦造成的，互耦造成rf電路的不穩定，或工作在臨界穩定狀態——亞穩態，當工作條件或環境溫度發生變化時，電路即變為不穩定狀態。例如：rf電路中的放大器很容易就成了振盪器，而rf振盪器又不起振，或者振盪不穩定。
互耦效應在直流電路中及低頻電路中是見不到的。
rf電路的訊號傳輸常常是用互相分開的雙根線傳輸訊號，其中一根線作為公共參考線——地線。地線作為訊號電壓公共的零電壓點，既是訊號電流的迴線，又是有源器件直流電壓的參考點和直流電流的迴線。
遮蔽：就是把易引起電磁輻射的元器件用金屬盒遮蔽起來，外殼接地。遮蔽是克服rf電路中寄生反饋的有效手段。
公用電源的耦合：公用電源中每乙個單元電路的交流、直流分量都要通過電源。電源都是非理想的，具有內阻。通過這個公用內阻，把這些單元電路互相耦合在一起。（交流耦合），這就加劇了rf電路的不穩定性。
rf放大鏈的總增益不允許超過55-60db。
解決公用電源的耦合的方法：
圖1-4（a）使用射頻扼流圈和電容構成的低通型π去耦電路，每個rf單元由單元的電容構成閉合迴路，rfc起單元間的隔離作用。
圖1-4（b）實際的二級不同電壓功率放大器電源供電電路，使用了穩壓二極體改變供電電壓。
圖1-4（c）實際二級同電壓功率放大器供電電路，該電路使用電阻代替rfc
電容和電感值的選取：從理論上講，隔直電容、旁路電容的容量應滿足1/ωc。圖1-5（a）、（b）給出了隔直電容和旁路電容的使用簡化圖。圖1-5（a）中，輸入電壓vi在電容c及ri上分壓，電容c上分得的電壓必須遠小於ri上分得的電壓。
由此，必須滿足
1/ωc<1/10ri
一般情況電容值愈大的電容高頻損耗愈大，很多大容量的電容不允許應用於rf頻段，而且容量大的電容**也高。一般在1000pf、0.1uf、1uf、10uf等。
射頻扼流圈——rfc，rfc對交流電流呈現無窮大的阻抗，即ωlrfc→∞，對直流電流呈現的直流電阻為零。rfc呈現有限的阻抗值，而且具有直流電阻，對流過的直流電阻的大小有限制。
rfc電感值應滿足ωlrfc>(5~10)ri。
rfc電感線圈的選取要注意兩個問題：1.線圈之間的分布電容與lrfc一起形成了諧振迴路。（工作頻率》諧振頻率：電感線圈呈容性；工作頻率《諧振頻率：電感線圈呈感性；工作頻率=諧振頻率：電感線圈呈非常小的阻抗。
）2.rfc通過的直流電流愈大，繞匝線徑愈粗，繞制的rfc電感量愈小。
綜上寧可選小的電感量。
如圖1-5（d）是公用電源π型去耦合電路，c1、c2的選擇標準如下：
1/ωc1<1/10rl和1/ωc2<1/10rs
如圖1-5（d）的rfc電感量的選擇原則如下：
ωlrfc>(5~10)1/(ωc1c2/(c1+c2))
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