nand flash有兩類:大頁的nand和小頁的nand。每種nand的一頁中都有資料段(datafield)和附加段(spare field),datafield用於存放資料用的,spare field讀寫操作的時候存放校驗碼用的,大頁的nand中資料段2048b、附加段64b;小頁的nand中資料段512b、附加段16b。小頁的nand是:one page = 512b(datafield) + 16b(spare field), one block =
32page
大頁的nand是:one page = 2048b(datafield) + 64b(spare field), one block =
64page or 128page
注:一塊nand flash中的所有頁可以不按順序燒寫。
對於燒寫大頁的nand有這樣的要求:在一頁中,資料段在2次擦除之間的程式設計操作不能超過四次,附加段在2次擦除之間的程式設計操作不能超過四次。
對於燒寫小頁的nand有相似的要求:在一頁中,資料段在2次擦除之間的程式設計操作不能超過兩次,附加段在2次擦除之間的程式設計操作不能超過三次。
NAND FLASH大頁和小頁的區別
nand flash有兩類 大頁的nand和小頁的nand。每種nand的一頁中都有資料段 datafield 和附加段 spare field datafield用於存放資料用的,spare field 讀寫操作的時候存放校驗碼用的,大頁的nand中資料段2048b 附加段64b 小頁的nand中...
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