目前應用最廣泛的數位電路是ttl電路和cmos電路。
1、ttl電路
ttl電路以雙極型電晶體為開關元件，所以又稱雙極型積體電路。雙極型數字積體電路是利用電子和空穴兩種不同極性的載流子進行電傳導的器件。
它具有速度高（開關速度快）、驅動能力強等優點，但其功耗較大，整合度相對較低。
根據應用領域的不同，它分為54系列和74系列，前者為軍品，一般工業裝置和消費類電子產品多用後者。74系列數字積體電路是國際上通用的標準電路。其品種分為六大類：74××（標準）、74s××（肖特基）、74ls××（低功耗肖特基）、74as××（先進肖特基）、74als××（先進低功耗肖特基）、74f××（高速）、其邏輯功能完全相同。
2、 cmos電路
mos電路又稱場效應積體電路，屬於單極型數字積體電路。單極型數字積體電路中只利用一種極性的載流子（電子或空穴）進行電傳導。
它的主要優點是輸入阻抗高、功耗低、抗干擾能力強且適合大規模整合。特別是其主導產品cmos積體電路有著特殊的優點，如靜態功耗幾乎為零，輸出邏輯電平可為vdd或vss，上公升和下降時間處於同數量級等，因而cmos積體電路產品已成為積體電路的主流之一。
其品種包括4000系列的cmos電路以及74系列的高速cmos電路。其中74系列的高速cmos電路又分為三大類：hc為cmos工作電平；hct為ttl工作電平（它可與74ls系列互換使用）；hcu適用於無緩衝級的cmos電路。74系列高速cmos電路的邏輯功能和引腳排列與相應的74ls系列的品種相同，工作速度也相當高，功耗大為降低。
74系列可以說是我們平時接觸的最多的晶元，74系列中分為很多種，而我們平時用得最多的應該是以下幾種：74ls，74hc，74hct這三種
輸入電平 輸出電平
74ls ttl電平 ttl電平
74hc coms電平 coms電平
74hct ttl電平 coms電平
另外，隨著推出bicmos積體電路，它綜合了雙極和mos積體電路的優點，普通雙極型閘電路的長處正在逐漸消失，一些曾經佔主導地位的ttl系列產品正在逐漸退出市場。cmos閘電路不斷改進工藝，正朝著高速、低耗、大驅動能力、低電源電壓的方向發展。bicmos積體電路的輸入閘電路採用cmos工藝，其輸出端採用雙極型推拉式輸出方式，既具有cmos的優勢，又具有雙極型的長處，已成為整合閘電路的新寵。
3、 cmos積體電路的效能及特點
功耗低cmos積體電路採用場效電晶體，且都是互補結構，工作時兩個串聯的場效電晶體總是處於乙個管導通另乙個管截止的狀態，電路靜態功耗理論上為零。實際上，由於存在漏電流，cmos電路尚有微量靜態功耗。單個閘電路的功耗典型值僅為20mw，動態功耗（在1mhz工作頻率時）也僅為幾mw。
工作電壓範圍寬
cmos積體電路供電簡單，供電電源體積小，基本上不需穩壓。國產cc4000系列的積體電路，可在3~18v電壓下正常工作。
邏輯擺幅大
cmos積體電路的邏輯高電平"1"、邏輯低電平"0"分別接近於電源高電位vdd及電源低電位vss。當vdd=15v，vss=0v時，輸出邏輯擺幅近似15v。因此，cmos積體電路的電壓利用係數在各類積體電路中指標是較高的。
抗干擾能力強
cmos積體電路的電壓雜訊容限的典型值為電源電壓的45%，保證值為電源電壓的30%。
隨著電源電壓的增加，雜訊容限電壓的絕對值將成比例增加。對於vdd=15v的供電電壓（當vss=0v時），電路將有7v左右的雜訊容限。
輸入阻抗高
cmos積體電路的輸入端一般都是由保護二極體和串聯電阻構成的保護網路，故比一般場效電晶體的輸入電阻稍小，但在正常工作電壓範圍內，這些保護二極體均處於反向偏置狀態，直流輸入阻抗取決於這些二極體的洩露電流，通常情況下，等效輸入阻抗高達103~1011ω，因此cmos積體電路幾乎不消耗驅動電路的功率。
溫度穩定性能好
由於cmos積體電路的功耗很低，內部發熱量少，而且，cmos電路線路結構和電氣引數都具有對稱性，在溫度環境發生變化時，某些引數能起到自動補償作用，因而cmos積體電路的溫度特性非常好。一般陶瓷金屬封裝的電路，工作溫度為-55 ~ +125℃；塑料封裝的電路工作溫度範圍為-45 ~ +85℃。
扇出能力強
扇出能力是用電路輸出端所能帶動的輸入端數來表示的。由於cmos積體電路的輸入阻抗極高，因此電路的輸出能力受輸入電容的限制，但是，當cmos積體電路用來驅動同型別，如不考慮速度，一般可以驅動50個以上的輸入端。
抗輻射能力強
cmos積體電路中的基本器件是mos電晶體，屬於多數載流子導電器件。各種射線、輻射對其導電性能的影響都有限，因而特別適用於製作航天及核實驗裝置。
可控性好
cmos積體電路輸出波形的上公升和下降時間可以控制，其輸出的上公升和下降時間的典型值為電路傳輸延遲時間的125%~140%。
介面方便
因為cmos積體電路的輸入阻抗高和輸出擺幅大，所以易於被其他電路所驅動，也容易驅動其他型別的電路或器件。
ttl—transistor-transistor logic 三極體－三極體邏輯
mos—metal-oxide semiconductor 金屬氧化物半導體電晶體
cmos—complementary metal-oxide semiconductor互補型金屬氧化物半導體電晶體
q：為什麼bjt比cmos速度要快?
a：很多人只知道bjt比cmos快，但不知道為什麼。
主要是受遷移率的影響。以npn管和nmos為例，bjt中的遷移率是體遷移率，大約為1350cm2/vs。nmos中是半導體表面遷移率，大約在400-600cm2/vs。所以bjt的跨導要高於mos的，速度快於mos。這也是npn（nmos）比pnp（pmos）快的原因。
npn比pnp快也是因為載流子遷移率不同，npn中的基區少子是電子，遷移率大（1350左右）；pnp的基區少子是空穴（480左右）。所以同樣的結構和尺寸的管子，npn比pnp快。所以在雙極工藝中，是以作npn管為主，pnp都是在相容的基礎上做出來的。mos工藝都是以n阱psub工藝為主，這種工藝可做寄生的pnp管，要做npn管就要是p阱nsub工藝。
bjt是之所以叫bipolar，是因為基區中既存在空穴又存在電子，是兩種載流子參與導電的；而mos器件的反形層中只有一種載流子參與導電。
但並不是因為兩種載流子導電總的遷移率就大了。而且情況可能恰恰相反。因為載流子的遷移率是與溫度和摻雜濃度有關的。半導體的摻雜濃度越高，遷移率越小。而在bjt中，少子的遷移率起主要作用。
npn管比pnp管快的原因是npn的基子少子是電子，pnp的是空穴，電子的遷移率比空穴大。nmos比pmos快也是這個原因。
而npn比nmos快的原因是npn是體器件，其載流子的遷移率是半導體內的遷移率；nmos是表面器件，其載流子的遷移率是表面遷移率（因為反形層是在柵氧下的表面形成的）。而半導體的體遷移率大於表面遷移率。
電路常識性概念（3） TTL與CMOS積體電路
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