這兩個電容叫晶振的負載電容，分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容，一般在幾十皮發。它會影響到晶振的諧振頻率和輸出幅度，一般訂購晶振時候供貨方會問你負載電容是多少。
晶振的負載電容=[(cd*cg)/(cd+cg)]+cic+△c式中cd,cg為分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容,cic（積體電路內部電容）+△c（pcb上電容）經驗值為3至5pf。
各種邏輯晶元的晶振引腳可以等效為電容三點式振盪器。晶振引腳的內部通常是乙個反相器, 或者是奇數個反相器串聯。在晶振輸出引腳 xo 和晶振輸入引腳 xi 之間用乙個電阻連線, 對於 cmos 晶元通常是數 m 到數十m 歐之間. 很多晶元的引腳內部已經包含了這個電阻, 引腳外部就不用接了。這個電阻是為了使反相器在振盪初始時處與線性狀態, 反相器就如同乙個有很大增益的放大器, 以便於起振. 石英晶體也連線在晶振引腳的輸入和輸出之間, 等效為乙個併聯諧振迴路, 振盪頻率應該是石英晶體的併聯諧振頻率. 晶體旁邊的兩個電容接地, 實際上就是電容三點式電路的分壓電容, 接地點就是分壓點. 以接地點即分壓點為參考點, 振盪引腳的輸入和輸出是反相的, 但從併聯諧振迴路即石英晶體兩端來看, 形成乙個正反饋以保證電路持續振盪. 在晶元設計時, 這兩個電容就已經形成了, 一般是兩個的容量相等, 容量大小依工藝和版圖而不同, 但終歸是比較小, 不一定適合很寬的頻率範圍. 外接時大約是數 pf 到數十 pf, 依頻率和石英晶體的特性而定. 需要注意的是: 這兩個電容串聯的值是併聯在諧振回路上的, 會影響振盪頻率. 當兩個電容量相等時, 反饋係數是 0.5, 一般是可以滿足振盪條件的, 但如果不易起振或振盪不穩定可以減小輸入端對地電容量, 而增加輸出端的值以提高反饋量.
兩個微控制器串列埠收發資料
使用兩個微控制器開發版，串列埠3.0與3.1交叉互接，兩個開發版分別燒寫串列埠接收，串列埠傳送的微控制器程式觀察p0埠輸出值的變化 接收串列埠的微控制器程式 include define uchar unsigned char define uint unsigned int uchar recie...
為何有的微控制器的晶振要選擇11 0592M？
這是因為微控制器在進行串列埠通訊的時候，比如以9600b s的速率通訊，那麼傳送資料的頻率為9600hz 那麼如果我用12m的晶振來分頻，n 12m 9600 1250 用11.0592m來分頻，n 11.0592m 9600 1152 這麼看似乎沒有問題，但查詢資料發現有乙個叫12t微控制器的概念...
微控制器的兩個外圍電路 復位電路和時鐘電路
一般的微控制器都要具備兩個外圍電路 時鐘電路和復位電路 時鐘電路 主要由乙個晶振和兩個電容組成。晶振的大小決定這微控制器的時鐘訊號 按我的理解就是 微控制器程式設計時，同乙個延時函式，晶振決定著它們的延時時間長短 復位電路 分為上電復位和按鍵復位 主要由乙個電阻 乙個電容，如果按鍵復位的話，就再加個...