一、nand flash容量與介面
1.容量
nand flash按照面、塊、頁、位元組進行儲存空間的管理，以我接觸過的兩款晶元來說：
k9k8g08u0a
的儲存容量為1024mb = 4(planes) * 2k(blocks) * 64(pages) * 2k(bytes)
oob區的大小為32mb = 256mbit = 512k(pages) * 64(bytes)
(注：該flash中每一頁包括2kb儲存空間和64b的oob區資訊)
k9f2g08u0a的儲存容量為2gbit = 256mb = 2(planes) * 1k(blocks) * 64(pages) * 2k(bytes)
oob區的大小為8mb = 64mbit = 128k(pages) * 64(bytes)
(注：該flash中每一頁包括2kb儲存空間和64b的oob區資訊)
2. 介面
i/o[0-7]：資料、位址、狀態和命令共同復用的輸入輸出口
cle：命令鎖存使能
ale：位址鎖存使能
ce：晶元片選使能
re：讀使能
we：寫使能
wp：寫保護使能
r/b：晶元「就緒/忙」訊號
vcc：電源
vss：地
n.c：懸空
二、k9f2g08u0a功能框圖、組織結構與支援的命令集
三、操作步驟
nand flash相關暫存器初始化
給出頁位址，傳送塊擦除命令(0x60/0xd0)，按塊(128k)擦除
給出將要寫入資料的起始位址，傳送寫命令(0x80/0x10)，資料被寫入nand flash指定位址
給出將要讀取資料的起始位址，傳送讀命令(0x00/0x30)，將從nand flash讀取指定長度的資料
四、說明
通過給定列位址值，我們可以不按頁對齊開始，而是從給定位址開始讀取資料
迴圈讀取資料的長度也不必是整頁的長度大小，而是根據實際長度來讀取，如len = 100
寫入也是同理，不必整頁對齊，但這樣會降低讀寫效率
擦除必須是從整數頁開始擦，擦除空間必須是乙個block的大小，比如128kb
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