主要講ram與flash，以及nand flash與nor flash的區別。
一、
ram和
flash
的區別
ram有兩大類，一種稱為靜態ram（static ram/sram），sram速度非常快，是目前讀寫最快的儲存裝置了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如cpu的一級緩衝cache。另一種稱為動態ram（dynamic ram/dram），dram保留資料的時間很短，速度也比sram慢，不過它還是比任何的rom都要快，但從**上來說dram相比sram要便宜很多，計算機記憶體就是dram的。
flash
（快閃儲存器）也分兩類，即nand 和 nor flash，flash快閃儲存器是非易失儲存器,可以對稱為塊的儲存器單元塊進行擦寫和再程式設計。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行,所以大多數情況下,在進行寫入操作之前必須先執行擦除。flash 的程式設計原理都是只能將1寫為0，而不能將0寫為1。所以在 flash 程式設計之前，必須將對應的塊擦除，而擦除的過程就是把所有位都寫為 1的過程，塊內的所有位元組變為0xff。
而我們平時接觸最多的就是ram即記憶體，這裡主要也是講記憶體與flash的區別：易失性，即斷電後
ram裡面的資料就沒了，而
fhash
裡面的資料依然存在。
二、
nand flash
與nor flash
的區別
1）nor的特點是晶元內執行(xip, execute in place),這樣應用程式可以直接在flash快閃儲存器內執行,不必再把**讀到系統ram中。nor在開發板中應用的非常廣泛，通過jtag/jlink把boot燒到nor中，通電後自動執行。這也是nand和nor最主要的區別。
2）norflash帶有sram介面,有足夠的位址引腳來定址,可以很容易地訪問其內部的每乙個位元組；nand器件使用複雜的i/o口來序列地訪問資料,各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、位址和資料資訊；nand
讀和寫操作採用
512位元組的塊,這一點有點像硬碟管理此類操作,很自然地,基於nand的儲存器就可以取代硬碟或其他塊裝置。
3）nand的寫入速度比nor快很多，所以nand適合用於儲存資料。如u盤（nand）儲存資料比較快。
4）nor的讀速度比nand稍快一些。
5）nand的4ms擦除速度、程式設計速度遠比nor的5s快。
6）nand的擦除單元更小,相應的擦除電路更少。
7）在nand快閃儲存器中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次,而nor的擦寫次數是十萬次。
8）nand器件中的壞塊是隨機分布的，對介質進行初始化掃瞄發現壞塊,並將壞塊標記為不可用。在燒寫核心到nand的時候，經常有發現壞塊提示。
9）由於flash固有的電器特性，在讀寫資料過程中偶然會產生1位或幾位資料錯誤，即位反轉，nand flash發生位反轉的機率要遠大於nor flash。位反轉無法避免，因此，使用nand flash的同時，應採用錯誤探測/錯誤更正（edc/ecc）演算法。
10）nandflash與nor flash相比容量大。
11）nor**高，呵呵，這才是最重要的。
RAM與ROM的區別
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手機裡的ROM與RAM
下文來自 儲存器分為隨機儲存器 ram 和唯讀儲存器 rom 兩種。其中 通常用來固化儲存一些生產廠家寫入的程式或資料，用於啟動電腦和控制電腦的工作方式。而 則用來訪問各種動態的輸入輸出資料 中間計算結果以及與外部儲存器交換的資料和暫存資料。裝置斷電後，中儲存的資料就會丟失。執行遊戲 程式速度快慢看...
手機上的ROM與RAM
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