norflash和nandflash是應用不同技術而實現的非易失快閃儲存器。它們之間的各自特點在這裡就不做介紹了，而只把s3c2440對norflash的操作做一講解。我們用的norflash為en29lv160ab，其實對各種型號的norflash進行讀寫等操作差別不大。
對norflash的操作主要就是讀、寫、擦除和識別等。en29lv160ab的資料寬度可以是8位位元組型，也可以是16位的字型，它由en29lv160ab的某一引腳配置實現的。在這裡我們選擇字型。
對norflash的讀操作比較簡單，系統上電後會自動進入讀模式，而且也不需要額外的命令來實現讀操作。下面的函式實現了讀操作：
u16 read_en29lv160ab(u32 addr)
norflash不僅能夠實現硬體復位，而且可以實現軟體復位。軟體復位的操作是向任一位址寫入復位命令0xf0。下面的函式實現了軟體復位：
void reset_en29lv160ab(void)
norflash的擦除操作和寫操作要稍微複雜一些，它們需要4個或6個週期來完成，每乙個週期都要把相應的命令寫入norflash中的某一命令暫存器中。寫操作的過程為第乙個週期是把命令0xaa寫入位址為0x555的命令暫存器中，第二個週期是把命令0x55寫入位址為0x2aa命令暫存器中，第三個週期是把命令0xa0再寫入位址為0x555命令暫存器中，第四個週期為真正地把要寫入的資料寫入到norflash的位址中。下面的函式實現了寫操作，其中該函式的兩個輸入引數分別為要寫入的資料和位址，為了方便，我們事先定義好命令暫存器：
#define flash_base 0x00000000
#define cmd_addr0 *((volatile u16 *)(0x555<<1+flash_base))
#define cmd_addr1 *((volatile u16 *)(0x2aa<<1+flash_base))
u8 en29lv160ab_program(u32 addr, u16 dat)
由於我們是把norflash連線到了s3c2440的bank 0上，因此norflash中的位址相對於s3c2440來說基址為0x00000000。而之所以又把norflash中的位址向左移一位（即乘以2），是因為我們是把s3c2440的addr1連線到了norflash的a0上的緣故。在該函式中，我們還呼叫了check_toggle函式，它的作用是用於判斷這次操作是否正確，它的原型為：
u8 check_toggle()
oldtoggle = newtoggle; }
return 1; //正確 }
它的原理是連續兩次讀取資料匯流排上的資料，判斷資料匯流排上的第6位數值（dq6）是否翻轉，如果沒有翻轉則正確，否則還要判斷第5位（dq5），以確定是否是因為超時而引起的翻轉。
u8 en29lv160ab_sector_erase(u32 section_addr)
對norflash另乙個比較常用的操作是讀取晶元的id。讀取廠商id的過程為第乙個週期是把命令0xaa寫入位址為0x555的命令暫存器中，第二個週期是把命令0x55寫入位址為0x2aa命令暫存器中，第三個週期是把命令0x90再寫入位址為0x555命令暫存器中，第四個週期為讀取位址為0x100中的內容，即廠商id（0x1c）。讀取裝置id的過程的前三個週期與讀取廠商id相同，第四個週期是讀取位址為0x01中的內容，即裝置id（0x2249）。下面的函式為讀取晶元id：
u32 get_en29lv160ab_id(void)
下面的程式實現了對一塊區域進行擦除，寫入，並讀出的操作，判斷寫入的資料是否與讀出的資料相同：
…… ……
u16 buffer[1024];
char cmd;
…… ……
void test_en29lv160ab(void)
else
delay(200);
}if(sta == 1)
}if(sta !=3) //全部操作都正確}}
while(!(rutrstat0 & 0x2)) ;
rutxh0=0x88; //結束}
//簡單測試cfi
void test_en29lv160ab_cfi(void)
void __irq uartisr(void)
while(!(rutrstat0 & 0x2)) ;
rutxh0=ch;}
void main(void)
}}
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